[发明专利]集成电路引线框架的电镀方法有效
| 申请号： | 200910154586.6 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101713088A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 郑康定;邓道斌;马叶军 | 申请（专利权）人： | 宁波康强电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/02 | 分类号： | C25D5/02;C25D7/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所 33228 | 代理人： | 高辉 |
| 地址： | 315105 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 引线 框架 电镀 方法 | ||
1.一种集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于：它包括以下步骤：
①.根据引线框架(1)制作丝网印版(5)；
②.将感光油墨(6)稀释，感光油墨(6)与稀释剂掺和比例为7∶3；
③.将稀释后的感光油墨(6)铺满丝网印版(5)的上表面后，对引线框架(1)进行印版，在引线框架(1)的上下表面形成油墨膜层(7)；
④.对印版后的引线框架(1)进行烘干，烘干温度为80℃～160℃，时间为5～45分钟；
⑤.对烘干后的引线框架(1)进行曝光，曝光要求在无尘的环境下进行，曝光时间为10～30秒，光照强度为100～1400MJ，环境温度为10℃～50℃；
⑥.对曝光后的引线框架(1)用显影液进行显影，显影时间为100～200秒，显影后用清水冲洗并晾干；
⑦.将步骤⑥处理完的引线框架(1)接上导线后，放入电镀液中进行电镀，完成后使用清水进行清洗并晾干；
⑧.对电镀后的引线框架(1)进行退膜处理，喷洒氢氧化钾溶液去除油墨膜层(7)，喷洒时间100～300秒，温度为40℃～80℃；
⑨.将步骤⑧处理完的引线框架(1)用清水清洗完，并晾干即可。
2.根据权利要求1所述的集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于：所述的感光油墨(6)为感光绿油。
3.根据权利要求1所述的集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于：所述的步骤④中的烘干温度为100℃～140℃，时间为10～30分钟。
4.根据权利要求1所述的集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于：所述的步骤⑤中的曝光时间为15～25秒，光照强度为300～1200MJ，环境温度为15℃～45℃。
5.根据权利要求1所述的集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于：所述的步骤⑥中的显影液为Na2CO3·10H2O，显影时间为120～180秒。
6.根据权利要求1所述的集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于：所述的氢氧化钾溶液的浓度为40～50g/L。
7.根据权利要求1所述的集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于：所述的步骤⑧中的喷洒时间为150～250秒，温度为50℃～70℃。
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