[发明专利]用于半导体照明的近紫外激发蓝绿色荧光粉及其制备方法

说明书

发明领域

本发明涉及一种用于半导体照明的近紫外激发蓝绿色荧光粉及其制备方 法。

背景技术

近年来，随着蓝紫光InGaN LED技术的不断提升，半导体照明器件在照明 领域迅猛发展，有取代现有照明器件之势。与传统照明器件相比，半导体照明 具有节能、环保、安全、响应快、可靠性高、单色性好、体积小、色彩丰富可 控等一系列独特优点，因而成为新一代照明器件的理想选择。白光LED作为新 一代照明光源，目前，最为成熟的途径是利用氮化镓蓝光(460nm)LED配合 黄色YAG:Ce³⁺荧光粉实现的，但这类半导体照明器件存在色温高、耐紫外辐 照性差、温度稳定性差等问题。随着氮化镓铟近紫外光LED的快速发展，近紫 外光LED配上红、蓝、绿三基色荧光粉为白光LED提供了新途径。近紫外光 LED波长与强度的波动对于配出的白光不会特别敏感，并可根据各色荧光粉的 选择及配比，调制出可接受色温及演色性的白光。目前常用的红色荧光粉为 Y₂O₃S:Eu³⁺，蓝色荧光粉为(Sr，Ca，Ba，Mg)₁₀(PO₄)₆Cl₂:Eu²⁺，绿色荧光粉为ZnS: Cu+，Al³⁺等，但目前使用的近紫外LED用荧光粉的激发光谱与近紫外LED的发 射光谱并不能很好的匹配，制备方法也比较单一。因此，发展近紫外光LED激 发产生白色发光的新型荧光粉体系具有重要意义。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于半导体照明的近紫外激发蓝绿色发光荧光粉 及其制备方法。

本发明的用于半导体照明的近紫外激发蓝绿色发光荧光粉，其化学式为 CaYAl₃O₇:xCe，yTb；其中0.005≤x≤0.07，0.02≤y≤0.24。

本发明的用于半导体照明的近紫外激发蓝绿色荧光粉的制备方法，步骤如 下：

按化学式称取CaCO₃，Y₂O₃，Al₂O₃，CeO₂和Tb₄O₇，将各组分原料置于 行星式球磨机中混合球磨，充分混合均匀后烘干，置于坩埚中，放入马弗炉， 在还原气氛中，先在800℃保温1小时，然后升温到1200-1400℃保温4-8小 时，得到荧光粉。

上述的还原气氛可以是活性石墨粉在1200-1400℃下形成的CO气体，或 者是N₂和H₂按摩尔比95∶5混合的气体。

本发明的优点在于：

1)荧光粉制备工艺简单、无污染、成本低。

2)制得的稀土离子掺杂荧光粉在空气中物理、化学性能稳定；具有高的发 光稳定性、耐紫外辐照性和温度稳定性。

3)由于Ce³⁺的引入，荧光粉中Tb³⁺在544nm的绿色发光强度明显增强。在 近紫外光激发下，荧光粉能发射出高亮度的蓝绿光。

4)本发明的荧光粉在近紫外区域(350-420nm)具有很宽的激发光谱，可 以粘贴在氮化镓铟近紫外光LED芯片上获得高效的蓝绿色发光，再配合近紫外 激发红色荧光粉，可实现近紫外光LED激发的白色发光，制备白光LED照明器 件。

附图说明

图1是蓝绿色荧光粉在544nm监控下的激发光谱；

图2是蓝绿色荧光粉在353nm激发下的发射光谱。

具体实施方式

实施例1：