[发明专利]单晶/多晶硅片的清洗方法

权利要求书

1.一种单晶/多晶硅片的清洗方法，其特征是包括以下步骤：

1)、粗洗：

将硅片放入PFA花篮内，于室温中将载有硅片的PFA花篮浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗；超声波频率为20～100KHz，粗洗时间为2～20分钟；

2)、浸泡：

室温中将上述载有粗洗后硅片的PFA花篮移入无机碱稀溶液中浸泡，浸泡时间为2～30分钟；

3)、清洗：

室温中将上述载有浸泡后硅片的PFA花篮浸入去离子水中在超声波作用下进行清洗；超声波频率为20～100KHz，清洗时间为2～20分钟；

4)、碱洗：

将上述载有清洗后硅片的PFA花篮浸入流动的无机碱溶液中，在超声波作用下进行碱洗；超声波频率为20～100KHz，清洗时间为3～20分钟，清洗温度为30～85℃；

5)、再次清洗：

将上述载有碱洗后硅片的洗篮浸入流动的去离子水中，在超声波作用下进行再次清洗；超声波频率为20～100KHz，清洗时间为2～20分钟，清洗温度为0～25℃；

6)纯水漂洗：

将上述载有再次清洗后硅片的PFA花篮浸入流动的去离子水中，室温中在超声波作用下进行漂洗；超声波频率为20～100KHz，清洗时间为2～20分钟；

7)、干燥：

将上述纯水漂洗后的硅片进行干燥处理。

2.根据权利要求1所述的单晶/多晶硅片的清洗方法，其特征是：在步骤1)以及步骤3)～步骤6)的工作过程中，使PFA花篮上下摇动，摇动频率为30-90次/分钟。

3.根据权利要求2所述的单晶/多晶硅片的清洗方法，其特征是：所述步骤2)中，无机碱稀溶液的质量浓度为0.1％～5％；步骤4)中，无机碱溶液的质量浓度为30～55％；所述无机碱为KOH或NaOH。

4.根据权利要求3所述的单晶/多晶硅片的清洗方法，其特征是：步骤4)中无机碱溶液流量为1升～10升/分钟，步骤5)中去离子水流量为2升～20升/分钟，步骤6)中去离子水流量为2升～20升/分钟。

5.根据权利要求4所述的单晶/多晶硅片的清洗方法，其特征是：所述步骤7)中将载有硅片的PFA花篮进行离心甩干处理，离心速度为800～1000rpm，离心时间为30秒～10分钟。