[发明专利]透明导电膜及其制备方法

权利要求书

1.透明导电膜，其特征是在衬底(1)上依次沉积有起缓冲作用的ZnO膜层(2)、和ZnMgO膜层(3)，衬底是有机聚合物，起缓冲作用的ZnO膜层是未掺杂的n型ZnO薄膜，ZnMgO膜层是掺Ga的n型ZnMgO薄膜。

2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于有机聚合物是聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酩、有机玻璃或聚萘二甲酸乙二醇酯。

3.制备权利要求1所述的透明导电膜的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)称量纯的ZnO粉末，球磨后压制成型，然后在1200℃温度下烧结，制得纯的ZnO陶瓷靶；

2)称量纯的ZnO、MgO和Ga₂O₃粉末，其中Ga摩尔百分含量为4％，Mg摩尔百分含量为5％，将上述粉末球磨混合均匀、压制成型，然后在1200℃温度下烧结，制得掺Ga的ZnMgO陶瓷靶；

3)采用射频磁控溅射法，以纯的ZnO陶瓷靶为靶材，在有机聚合物衬底上沉积一层未掺杂的n型ZnO薄膜，溅射条件：靶材与衬底之间的距离保持为4～6cm，生长室真空度至少抽至3×10^-3Pa，生长室通入纯氩气和纯氧气中的一种或者这两种的混合气体，控制压强为0.1～3.0Pa，Ar∶O₂＝1∶0～0∶1，溅射功率100W～300W；

4)采用射频磁控溅射法，以掺Ga的ZnMgO陶瓷靶为靶材，在步骤3)的未掺杂的n型ZnO薄膜上再沉积一层Ga掺杂的n型ZnMgO薄膜，溅射条件：靶材与衬底之间的距离保持为4～6cm，生长室真空度至少抽至3×10^-3Pa，生长室通入纯氩气和纯氧气中的一种或者这两种的混合气体，控制压强为0.1～3.0Pa，Ar∶O₂＝1∶0～0∶1，溅射功率100W～300W。

4.根据权利要求3所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于纯氩气的纯度为99.99％以上，纯氧气的纯度为99.99％以上。

5.根据权利要求3所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于ZnO、Ga₂O₃和MgO粉末的纯度均为99.99％以上。