[发明专利]一种半导体激光器脉冲驱动电路

权利要求书

1.一种半导体激光器脉冲驱动电路，用于产生触发半导体激光器(LD)发光所需要的脉冲电流，包括

半导体激光器触发电路，该半导体激光器触发电路包括储能电容(C9)、保护电阻(R14)、场效应管(Q1)，场效应管(Q1)的漏极与储能电容(C9)的第一端相连，储能电容(C9)的第一端还与保护电阻(R14)的第一端相连，保护电阻(R14)的第二端与第一恒流充电电源(VCC₁)相连，场效应管(Q1)的源极接地；储能电容(C9)的第二端与半导体激光器(LD)的负极相连，半导体激光器(LD)的正极接地；

脉冲电流源电路，输入端与外接的触发脉冲相连，输出端与场效应管(Q1)的栅极相连，根据输入的触发脉冲来控制场效应管(Q1)的开启与导通；

其特征在于：所述脉冲电流源电路包括

滤波电路，其输入端与第二恒流充电电源(VCC₂)相连，用于滤除第二恒流充电电源(VCC₂)的高频噪声；

微分电路，其输入端与外接的触发脉冲相连，用于将外接的触发脉冲转变称宽度固定的脉冲；

电路源电路，包括第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)、第五三极管(Q5)、第六三极管(Q6)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一电容(C1)，其中第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一电容(C1)的第一端均与滤波电路的输出端相连，第一电阻(R1)、第一电容(C1)的第二端均与第二三极管(Q2)的发射极相连，第二三极管(Q2)的集电极与第三电阻(R3)的第一端相连，第三电阻(R3)的第二端接地；第二三极管(Q2)的基极与第五三极管(Q5)的基极相连，第二电阻(R2)的第一端与滤波电路的输出端相连，第二电阻(R2)的第二端与第五三极管(Q5)的发射极相连，第五三极管(Q5)的集电极与第四电阻(R4)的第一端相连，第四电阻(R4)的第二端与第三三极管(Q3)的集电极相连，第三三极管(Q3)的发射极接地，第三三极管(Q3)的基极与微分电路的输出端相连；第五电阻(R5)的第一端与第二三极管(Q2)的基极相连，第五电阻(R5)的第二端接地；第四三极管(Q4)、第六三极管(Q6)的基极均与第二三极管(Q2)的集电极相连，第四三极管(Q4)、第六三极管(Q6)的集电极均与滤波电路的输出端相连，第四三极管(Q4)、第六三极管(Q6)的发射极相连后与第六电阻(R6)的第一端相连，第六电阻(R6)的第二端接地；第四三极管(Q4)、第六三极管(Q6)的发射极相连后作为电路源电路的输出端与所述场效应管(Q1)的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器脉冲驱动电路，其特征在于：所述滤波电路包括第六电容(C6)、第二电容(C2)、第八电容(C8)、电感(L2)，其中第六电容(C6)的第一端与第二恒流充电电源(VCC₂)相连，第六电容(C6)的第二端接地，电感(L2)的第一端也与第二恒流充电电源(VCC₂)相连，电感(L2)的第二端与第二电容(C2)的第一端相连，第二电容(C2)的第二端接地；第八电容(C8)的第一端与电感(L2)的第二端相连，第八电容(C8)的第二端接地，电感(L2)的第二端为该滤波电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器脉冲驱动电路，其特征在于：所述微分电路包括第七电阻(R7)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)、第七电容(C7)，其中第八电阻(R8)、第九电阻(R9)的第一端均与外接的触发脉冲相连，第八电阻(R8)的第二端与第七电容(C7)的第一端相连，第七电容(C7)第二端与第七电阻(R7)的第一端相连，第七电阻(R7)的第二端、第九电阻(R9)的第二端均接地；第七电容(C7)第二端为微分电路的输出端。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器脉冲驱动电路，其特征在于：所述半导体激光器触发电路还包括第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第十电阻(R10)、第十一电阻(R11)，其中第一二极管(D1)的正极与储能电容(C9)的第二端相连，第一二极管(D1)的负极与第十电阻(R10)的第一端相连，第十电阻(R10)的第二端接地；第二二极管(D2)的负极与保护电阻(R14)的第一端相连，第二二极管(D2)的正极与第十一电阻(R11)的第一端相连，第十一电阻(R11)的第二端接地。