[发明专利]一种n型纳米金刚石薄膜及制备方法有效
| 申请号： | 200910155306.3 | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101717913A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 胡晓君 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/48;C23C14/58 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;冷红梅 |
| 地址： | 310014 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种n型纳米金刚石薄膜的制备方法，包括：(1)在单晶硅衬底上制 备纳米金刚石薄膜；(2)采用离子注入方法，在纳米金刚石薄膜中注 入施主杂质离子；所述施主杂质离子为磷或氧，注入剂量为 1014～1016cm-2、注入能量为90～100keV；(3)将离子注入后的薄膜真空 退火，退火温度为700～1000℃，即得所述n型纳米金刚石薄膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(1)的制备方法如下： 采用化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，采用氢气鼓泡方式将丙酮带 入到反应室中，反应温度600～700℃、反应时间5～6小时，制备得到厚 度为3～4μm的纳米金刚石薄膜。
3.一种采用如权利要求1所述的方法制备的n型纳米金刚石薄膜，由纳 米金刚石薄膜中注入施主杂质离子得到，其特征在于所述施主杂质离 子同时存在于纳米金刚石薄膜的纳米金刚石晶粒和非晶碳晶界中；纳 米金刚石晶粒和晶界为薄膜提供n型电导；所述施主杂质离子为磷离 子或氧离子。
4.如权利要求3所述的n型纳米金刚石薄膜，其特征在于：所述施主杂 质离子在薄膜中的浓度为1018～1020cm-3。
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