[发明专利]蓝光发光二极管无效
| 申请号： | 200910157454.9 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101989637A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 姜滨;吉爱华 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种蓝光发光二极管，其特征在于，
在衬片层的上面自下而上地依次形成蓝宝石衬底、InGaN过渡层、AIGaN过渡层、低温GaN缓冲层、N-GaN接触层、InGaN/GaN发光层、P+GaN接触层、透明导电层。
2.如权利要求1所述的蓝光发光二极管，其特征在于，
所述透明导电层为Ni/Au导电层。
3.如权利要求1所述的蓝光发光二极管，其特征在于，
所述蓝宝石衬底层的厚度为50-200um。
4.如权利要求1所述的蓝光发光二极管，其特征在于，
所述蓝宝石衬底层的厚度为80um。
5.如权利要求1所述的蓝光发光二极管，其特征在于，
所述InGaN过渡层厚度为5um-20um。
6.如权利要求1所述的蓝光发光二极管，其特征在于，
所述InGaN过渡层的厚度为8um-10um。
7.如权利要求1所述的蓝光发光二极管，其特征在于，
所述AlGaN过渡层的厚度为5um-20um。
8.如权利要求1所述的蓝光发光二极管，其特征在于，
所述AlGaN过渡层的厚度为8um-10um。
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