[发明专利]一种附加磁场检测方法和装置有效

专利信息
申请号: 200910157757.0 申请日: 2009-07-24
公开(公告)号: CN101963656A 公开(公告)日: 2011-02-02
发明(设计)人: 戴勇鸣;贺强 申请(专利权)人: 西门子迈迪特(深圳)磁共振有限公司
主分类号: G01R33/24 分类号: G01R33/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 附加 磁场 检测 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种附加磁场检测方法,该方法包括:

生成被测梯度脉冲,并在所述被测梯度脉冲结束后,获取两个自由感应衰减信号;其中,第一个自由感应衰减信号同时受到主磁场和附加磁场的影响,第二个自由感应衰减信号只受到主磁场的影响;

通过分析两个自由感应衰减信号的相位差,确定附加磁场的变化情况。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取两个自由感应衰减信号包括:

施加两个射频脉冲;

在每个射频脉冲结束后,分别采集得到一个自由感应衰减信号。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,利用模数转换器采集自由感应衰减信号。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过分析两个自由感应衰减信号的相位差,确定附加磁场的变化情况包括:

利用所述第一个自由感应衰减信号的相位计算得到由主磁场和附加磁场所组成的混合磁场的变化情况;

利用所述第二个自由感应衰减信号的相位计算得到主磁场的变化情况;

通过比较所述混合磁场的变换情况以及所述主磁场的变化情况,确定所述附加磁场的变化情况。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,

利用以下公式计算得到混合磁场的变化情况:其中,所述表示所述第一个自由感应衰减信号的相位的一阶导数,所述γ表示氢质子的磁旋比,所述Bm(t)表示混合磁场的变化情况;

利用以下公式计算得到主磁场的变化情况:其中,所述表示所述第二个自由感应衰减信号的相位的一阶导数,所述γ表示氢质子的磁旋比;所述B0(t)表示主磁场的变化情况。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述和通过数字微分计算得到;其中,

所述h表示采样间隔。

7.一种附加磁场检测装置,包括:

一个生成获取单元(31),用于生成被测梯度脉冲,并在所述被测梯度脉冲结束后,获取两个自由感应衰减信号;其中,第一个自由感应衰减信号同时受到主磁场和附加磁场的影响,第二个自由感应衰减信号只受到主磁场的影响;

一个分析单元(32),用于通过分析两个自由感应衰减信号的相位差,确定附加磁场的变化情况。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述生成获取单元(31)包括:

一个生成子单元(311),用于生成被测梯度脉冲;

一个获取子单元(312),用于在所述被测梯度脉冲结束后,施加两个射频脉冲,并在每个射频脉冲结束后,分别采集得到一个自由感应衰减信号。

9.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述分析单元(32)包括:

一个计算子单元(321),用于利用所述第一个自由感应衰减信号的相位计算得到由主磁场和附加磁场所组成的混合磁场的变化情况,利用所述第二个自由感应衰减信号的相位计算得到主磁场的变化情况;

一个确定子单元(322),用于通过比较所述混合磁场的变换情况以及所述主磁场的变化情况,确定所述附加磁场的变化情况。

10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述计算子单元(321)包括:

一个第一处理子单元(3211),用于利用以下公式计算得到混合磁场的变化情况:其中,所述表示所述第一个自由感应衰减信号的相位的一阶导数,所述γ表示氢质子的磁旋比,所述Bm(t)表示混合磁场的变化情况;

一个第二处理子单元(3212),用于利用以下公式计算得到主磁场的变化情况:其中,所述表示所述第二个自由感应衰减信号的相位的一阶导数,所述γ表示氢质子的磁旋比;所述B0(t)表示主磁场的变化情况。

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