[发明专利]具有自适应控制的多层非易失性存储器

权利要求书

1.一种多层存储设备，包括：

多个存储单元，其被组织成多个组，所述多个存储单元包括至少两层存 储单元；和

控制电路，具有查找矩阵，用于为该多个组的每一个提供控制参数，其 中，所述查找矩阵包括块组集，

其中，每个组的特征被存储在该查找矩阵的所述块组集中，以及每个组 的控制参数对应于所存储的该组的特征，

其中，所述块组集由半导体厂商在代表性和/或特定半导体芯片的制造和 测试之后预先确定，或者所述块组集和/或其特定特征由存储设备自身自适应 地确定，

其中，所述查找矩阵包括：

查找表，具有多个组的至少一个特征；

地址比较器；和

多路复用器，连接到地址比较器和查找表，用于提供对应于地址的 组的特征。

2.如权利要求1所述的设备，该多个组的每一个具有根据该组在该设备 的结构内的位置而不同的特征。

3.如权利要求1所述的设备，该多个组的每一个具有根据该设备的电子 测试结果而不同的特征。

4.如权利要求1所述的设备，还包括具有备用区的存储器阵列，

其中每个组的特征被从该备用区中检索并且存储在该查找矩阵中。

5.如权利要求1所述的设备，还包括存储器阵列，

其中，该查找表是与该存储器阵列分开的非易失性存储器，并且该特征 由该查找表提供。

6.如权利要求1所述的设备，每个组的特征包括编程条件、读取条件或 擦除条件中的至少一个。

7.如权利要求6所述的设备，该编程条件包括递增阶跃脉冲编程电压、 开始电压、编程控制电压、最大循环数、一次循环编程时间、或每个状态的 校验电压中的至少一个。

8.如权利要求6所述的设备，该读取条件包括选择读取电压、读取控制 电压或一次循环读取时间中的至少一个。

9.如权利要求6所述的设备，该擦除条件包括擦除电压或擦除时间中的 至少一个。

10.如权利要求1所述的设备，其中每个组的至少一个控制参数的范围 不同于每个其它组的至少一个控制参数的范围。

11.如权利要求1所述的设备，其中该存储单元是NAND闪速存储器。

12.如权利要求11所述的设备，该控制参数包括应用于NAND闪速存 储器的页的至少一个循环编程电压。

13.如权利要求11所述的设备，该控制参数包括应用于NAND闪速存 储器的页的至少一个循环读取电压。

14.如权利要求11所述的设备，该控制参数包括应用于NAND闪速存 储器的块的至少一个擦除电压。

15.如权利要求1所述的设备，其中该存储单元是非易失性的。

16.如权利要求1所述的设备，该多个存储单元包括至少两层存储单元， 其中对于每个层，存储的特征和提供的控制参数是不同的。

17.如权利要求1所述的设备，该查找矩阵还包括用于存储组特征的非 易失性存储器而不具有备用区。

18.如权利要求1所述的设备，其中该多个存储单元中的每一个具有相 同数目的逻辑电平。