[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列包含：

一基板；

至少一薄膜晶体管，位于所述基板上；

一第一挡墙，位于所述基板上，并在所述基板上至少区隔出一第一贯穿 孔与一像素区，其中所述第一贯穿孔暴露出所述薄膜晶体管的一漏极，且所 述第一挡墙包含：至少一第一侧壁，面向所述第一贯穿孔；至少一第二侧壁， 面向所述像素区，其中所述第一侧壁的坡度较所述第二侧壁的坡度缓，以使 得色阻不溢流出；

一透明电极，通过所述第一贯穿孔，电性连接所述薄膜晶体管的所述漏 极；以及

一色阻，填充于所述像素区中。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述薄膜晶体管 阵列还包含：

一电容，位于所述基板上，其中所述电容包含一下电极、一介电层及一 上电极，且所述介电层位于所述下电极与所述上电极之间；以及

一第二挡墙，位于所述基板上，所述第二挡墙在所述基板上区隔出一所 述像素区与一第二贯穿孔，其中所述第二贯穿孔暴露出所述电容的一所述介 电层，而所述透明电极还通过所述第二贯穿孔，延伸至所述电容的所述介电 层上，作为所述电容的所述上电极，所述第二挡墙包含：

至少一第一侧壁，面向所述第二贯穿孔；以及

至少一第二侧壁，面向所述像素区，其中所述第一侧壁的坡度较所述第 二侧壁的坡度缓。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述第一侧壁与 所述第二侧壁之间的坡度差距为10°至60°。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述第一侧壁与 所述第二侧壁之间的坡度差距为10°至30°。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述第一侧壁的 坡度为10°至70°。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述第一侧壁的 坡度为20°至60°。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述第二侧壁的 坡度为70°至100°。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述第二侧壁的 坡度为70°至90°。

9.一种薄膜晶体管阵列的制造方法，其特征在于，所述方法包含：

在一基板上形成至少一薄膜晶体管；

形成一挡墙，覆盖所述薄膜晶体管与所述基板；

以至少一掩膜图案化所述挡墙，使得所述挡墙区隔出一贯穿孔与一像素 区；所述挡墙包含：至少一贯穿孔的侧壁，面向所述贯穿孔；至少一像素区 的侧壁，面向所述像素区；

在所述像素区中喷墨列印至少一色阻；以及

在图案化所述挡墙时，以水平方向相对移动所述掩膜与所述基板，使得 所述贯穿孔的侧壁坡度较所述像素区的侧壁坡度缓，以使得所述色阻不溢流 出。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列的制造方法，其特征在于，以水 平方向相对移动所述掩膜与所述基板的步骤包含：

固定所述掩膜的位置，并移动所述基板。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列的制造方法，其特征在于，以水 平方向相对移动所述掩膜与所述基板的步骤包含：

固定所述基板的位置，并移动所述掩膜。

12.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列的制造方法，其特征在于，以水 平方向相对移动所述掩膜与所述基板的步骤包含：

移动所述掩膜的位置，并移动所述基板位置。

13.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列的制造方法，其特征在于，图案 化该挡墙的步骤包含：

以所述掩膜的复数个不同的图案重复曝光所述挡墙。