[发明专利]基板处理方法

权利要求书

1.一种处理基板的基板处理方法，该基板依次层叠有处理对象层、中间层和掩模层，所述掩模层具有使所述中间层的一部分露出的开口部，所述基板处理方法的特征在于：

具有开口宽度缩小步骤，该开口宽度缩小步骤是，通过由气体附着系数S为S＝0.1～1.0的沉积性气体生成的等离子体，使沉积物堆积到所述掩模层的所述开口部侧壁面，缩小所述开口部的开口宽度。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：

所述沉积性气体为用通式C_xH_yF_z表示的气体，其中，x、y、z为0或正整数。

3.如权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于：

所述沉积性气体为CHF₃气体。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述开口宽度缩小步骤中，向所述基板施加100W～500W的偏置电力。

5.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

所述开口宽度缩小步骤中的处理时间为0.5～3分钟。

6.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述开口宽度缩小步骤中，将所述掩模层的所述开口部的开口宽度收敛至与所述沉积性气体的气体附着系数S的值对应的规定值。

7.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述开口宽度缩小步骤中，缩小所述掩模层的所述开口部的开口宽度，并且吸收在所述掩模层上形成的开口部的开口宽度的不均匀，从而减小偏差。

8.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

具有将通过所述开口宽度缩小步骤缩小开口宽度的所述掩模层的开口部转印到所述处理对象层上的处理对象层蚀刻步骤。

9.一种处理基板的基板处理方法，该基板依次层叠有处理对象层、中间层和掩模层，所述掩模层具有使所述中间层的一部分露出的开口部，所述基板处理方法的特征在于：

具有以一个步骤进行开口宽度缩小步骤和蚀刻步骤的收缩蚀刻步骤，其中，所述开口宽度缩小步骤是，通过由沉积性气体和各向异性蚀刻气体的混合气体生成的等离子体，使沉积物堆积到所述掩模层的所述开口部的侧壁面，所述蚀刻步骤是，对形成所述开口部的底部的所述中间层进行蚀刻。

10.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于：

所述沉积性气体为用通式C_xH_yF_z表示的气体，其中，x、y、z为0或正整数。

11.如权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于：

所述沉积性气体为CHF₃气体。

12.如权利要求9～11中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

所述各向异性蚀刻气体是分子量大于所述沉积性气体的气体，是含有溴(Br)或原子序数大于溴(Br)的卤素或元素周期表第VIA族元素、即硫(S)或原子序数大于硫(S)的元素的气体。

13.如权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于：

所述各向异性蚀刻气体为CF₃I气体、CF₃Br气体、HI气体或HBr气体。

14.如权利要求9～11中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

所述收缩蚀刻步骤中的所述沉积性气体和所述各向异性蚀刻气体的混合比为6∶1～1∶1。

15.一种处理基板的基板处理方法，该基板依次层叠有处理对象层、中间层和掩模层，所述掩模层具有使所述中间层的一部分露出的开口部，所述基板处理方法的特征在于：

具有以一个步骤实施开口宽度缩小步骤和蚀刻步骤的收缩蚀刻步骤，其中，所述开口宽度缩小步骤是，通过由各向异性气体与氢气的混合气体生成的等离子体，使沉积物堆积到所述掩模层的所述开口部侧壁面，所述蚀刻步骤是，对形成所述开口部的底部的所述中间层进行蚀刻。