[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 200910159435.X | 申请日: | 2005-08-12 |
公开(公告)号: | CN101667538A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 田中幸一郎;矶部敦生;山本良明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;B23K26/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 林毅斌;李家麟 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法,包括:
在基板上形成半导体膜;
借助通过狭缝从发射自激光振荡器的第一激光束产生第二激光 束;
使用聚光透镜从所述第二激光束产生第三激光束;
通过用所述第三激光束照射所述半导体膜而使所述半导体膜结 晶以形成所述半导体膜中的第一区和第二区;
在所述第一区上形成薄膜晶体管;以及
在所述第二区上形成线路,
其中所述第三激光束相对于所述半导体膜移动,
其中所述聚光透镜包括第一凸柱镜和第二凸柱镜,
其中所述第一凸柱镜和所述第二凸柱镜布置成使得它们的母 线彼此交叉,以及
其中,所述第一区中包括的晶粒大于所述第二区中包括的晶 粒。
2.权利要求1的制造半导体器件的方法,
其中所述第一激光束为连续波激光束。
3.权利要求2的制造半导体器件的方法,
其中所述第一激光束发射自以下激光器:具有单晶YAG、 YVO4、镁橄榄石(Mg2SiO4)、YAlO3或GdVO4介质的激光器,或 具有多晶YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3或GdVO4介质的激光器,每 种所述介质都掺有选自Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一 种或多种元素作为掺杂剂;固态激光器;气体激光器;或者半导体 激光器。
4.权利要求1的制造半导体器件的方法,
其中所述第一激光束具有飞秒级的脉冲宽度。
5.权利要求4的制造半导体器件的方法,
其中所述第一激光束发射自Ti:蓝宝石激光器、铬镁橄榄石激光 器或Yb:YAG激光器。
6.权利要求1的制造半导体器件的方法,
其中所述第一激光束是重复率为10MHz或更高的脉冲激光束。
7.权利要求6的制造半导体器件的方法,
其中所述第一激光束发射自以下激光器:具有单晶YAG、 YVO4、镁橄榄石(Mg2SiO4)、YAlO3或GdVO4介质的激光器,或 具有多晶YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3或GdVO4介质的激光器,每 种所述介质都掺有选自Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一 种或多种元素作为掺杂剂;Ar离子激光器;或者Ti:蓝宝石激光器。
8.权利要求1的制造半导体器件的方法,
其中所述第二区的宽度在1到20μm的范围内。
9.权利要求1的制造半导体器件的方法,
其中所述狭缝具有打开和闭合的挡板。
10.权利要求1的制造半导体器件的方法,
其中所述狭缝处的图像和所述半导体膜上的图像通过所述聚光 透镜而处于共轭关系。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造