[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在基板上形成半导体膜；

借助通过狭缝从发射自激光振荡器的第一激光束产生第二激光 束；

使用聚光透镜从所述第二激光束产生第三激光束；

通过用所述第三激光束照射所述半导体膜而使所述半导体膜结 晶以形成所述半导体膜中的第一区和第二区；

在所述第一区上形成薄膜晶体管；以及

在所述第二区上形成线路，

其中所述第三激光束相对于所述半导体膜移动，

其中所述聚光透镜包括第一凸柱镜和第二凸柱镜，

其中所述第一凸柱镜和所述第二凸柱镜布置成使得它们的母 线彼此交叉，以及

其中，所述第一区中包括的晶粒大于所述第二区中包括的晶 粒。

2.权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中所述第一激光束为连续波激光束。

3.权利要求2的制造半导体器件的方法，

其中所述第一激光束发射自以下激光器：具有单晶YAG、 YVO₄、镁橄榄石(Mg₂SiO₄)、YAlO₃或GdVO₄介质的激光器，或 具有多晶YAG、Y₂O₃、YVO₄、YAlO₃或GdVO₄介质的激光器，每 种所述介质都掺有选自Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一 种或多种元素作为掺杂剂；固态激光器；气体激光器；或者半导体 激光器。

4.权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中所述第一激光束具有飞秒级的脉冲宽度。

5.权利要求4的制造半导体器件的方法，

其中所述第一激光束发射自Ti:蓝宝石激光器、铬镁橄榄石激光 器或Yb:YAG激光器。

6.权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中所述第一激光束是重复率为10MHz或更高的脉冲激光束。

7.权利要求6的制造半导体器件的方法，

其中所述第一激光束发射自以下激光器：具有单晶YAG、 YVO₄、镁橄榄石(Mg₂SiO₄)、YAlO₃或GdVO₄介质的激光器，或 具有多晶YAG、Y₂O₃、YVO₄、YAlO₃或GdVO₄介质的激光器，每 种所述介质都掺有选自Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一 种或多种元素作为掺杂剂；Ar离子激光器；或者Ti:蓝宝石激光器。

8.权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中所述第二区的宽度在1到20μm的范围内。

9.权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中所述狭缝具有打开和闭合的挡板。

10.权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中所述狭缝处的图像和所述半导体膜上的图像通过所述聚光 透镜而处于共轭关系。