[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910159435.X 申请日: 2005-08-12
公开(公告)号: CN101667538A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: 田中幸一郎;矶部敦生;山本良明 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;B23K26/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 林毅斌;李家麟
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造半导体器件的方法,包括:

在基板上形成半导体膜;

借助通过狭缝从发射自激光振荡器的第一激光束产生第二激光 束;

使用聚光透镜从所述第二激光束产生第三激光束;

通过用所述第三激光束照射所述半导体膜而使所述半导体膜结 晶以形成所述半导体膜中的第一区和第二区;

在所述第一区上形成薄膜晶体管;以及

在所述第二区上形成线路,

其中所述第三激光束相对于所述半导体膜移动,

其中所述聚光透镜包括第一凸柱镜和第二凸柱镜,

其中所述第一凸柱镜和所述第二凸柱镜布置成使得它们的母 线彼此交叉,以及

其中,所述第一区中包括的晶粒大于所述第二区中包括的晶 粒。

2.权利要求1的制造半导体器件的方法,

其中所述第一激光束为连续波激光束。

3.权利要求2的制造半导体器件的方法,

其中所述第一激光束发射自以下激光器:具有单晶YAG、 YVO4、镁橄榄石(Mg2SiO4)、YAlO3或GdVO4介质的激光器,或 具有多晶YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3或GdVO4介质的激光器,每 种所述介质都掺有选自Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一 种或多种元素作为掺杂剂;固态激光器;气体激光器;或者半导体 激光器。

4.权利要求1的制造半导体器件的方法,

其中所述第一激光束具有飞秒级的脉冲宽度。

5.权利要求4的制造半导体器件的方法,

其中所述第一激光束发射自Ti:蓝宝石激光器、铬镁橄榄石激光 器或Yb:YAG激光器。

6.权利要求1的制造半导体器件的方法,

其中所述第一激光束是重复率为10MHz或更高的脉冲激光束。

7.权利要求6的制造半导体器件的方法,

其中所述第一激光束发射自以下激光器:具有单晶YAG、 YVO4、镁橄榄石(Mg2SiO4)、YAlO3或GdVO4介质的激光器,或 具有多晶YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3或GdVO4介质的激光器,每 种所述介质都掺有选自Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一 种或多种元素作为掺杂剂;Ar离子激光器;或者Ti:蓝宝石激光器。

8.权利要求1的制造半导体器件的方法,

其中所述第二区的宽度在1到20μm的范围内。

9.权利要求1的制造半导体器件的方法,

其中所述狭缝具有打开和闭合的挡板。

10.权利要求1的制造半导体器件的方法,

其中所述狭缝处的图像和所述半导体膜上的图像通过所述聚光 透镜而处于共轭关系。

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