[发明专利]液晶显示器件及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示器件，包括：

在基板非显示区域中的p-型驱动薄膜晶体管和n-型驱动薄膜晶体管以及 在基板显示区域中的像素薄膜晶体管，其中p-型、n-型驱动薄膜晶体管和像素 薄膜晶体管每一个都包括多晶硅半导体图案、在多晶硅半导体图案上的栅极、 和栅极上的源极和漏极；

在多晶硅半导体图案和栅极之间的栅绝缘层；

在栅极与源极和漏极之间的层间绝缘膜；

彼此交叉从而确定显示区域的像素区域的栅线和数据线；

像素区域中的像素电极；和

与像素薄膜晶体管连接的存储电容器，其中存储电容器包括第一存储电 极，其具有从像素薄膜晶体管的多晶硅半导体图案延伸的存储多晶硅半导体图 案和在存储多晶硅半导体图案正上方的存储图案、在栅绝缘层上的第二存储电 极、和从像素薄膜晶体管的漏极延伸的第三存储电极，

其中所述存储图案的轮廓设置在存储多晶硅半导体图案的轮廓内，并且所 述存储多晶硅半导体图案具有离子。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，像素电极设置在像素薄膜 晶体管的漏极、第三存储电极和层间绝缘膜正上方，并覆盖像素薄膜晶体管的 漏极和第三存储电极。

3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，进一步包括覆盖并直接接 触n-型和p-型驱动薄膜晶体管的源极和漏极的遮光图案和覆盖并直接接触数 据线和像素薄膜晶体管的源极的遮光线。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，一部分存储多晶硅半导体 图案设置在第二存储电极外部。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，层间绝缘膜包括接触像素 电极的由硅的氮化物形成的第一层。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，层间绝缘膜进一步包括在 第一层下面的由硅的氧化物形成的第二层。

7.一种制造液晶显示器件的方法，包括：

在基板非显示区域中形成p-型驱动薄膜晶体管和n-型驱动薄膜晶体管， 其中p-型、n-型驱动薄膜晶体管包括多晶硅半导体图案、在多晶硅半导体图案 上的栅极、和栅极上的源极和漏极；

在基板显示区域中形成像素薄膜晶体管，其中像素薄膜晶体管包括多晶硅 半导体图案、在多晶硅半导体图案上的栅极、和栅极上的源极和漏极；

在多晶硅半导体图案和栅极之间形成栅绝缘层；

在栅极与源极和漏极之间形成层间绝缘膜；

形成彼此交叉从而确定显示区域的像素区域的栅线和数据线；

在像素区域中形成像素电极；和

将存储电容器与像素薄膜晶体管连接，其中存储电容器包括第一存储电 极，其具有从像素薄膜晶体管的多晶硅半导体图案延伸的存储多晶硅半导体图 案和在存储多晶硅半导体图案正上方的存储图案、在栅绝缘层上的第二存储电 极、和从像素薄膜晶体管的漏极延伸的第三存储电极，

其中所述存储图案的轮廓设置在存储多晶硅半导体图案的轮廓内，并且所 述存储多晶硅半导体图案具有离子。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，像素电极设置在像素薄膜 晶体管的漏极、第三存储电极和层间绝缘膜正上方，并覆盖像素薄膜晶体管的 漏极和第三存储电极。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括形成覆盖并直 接接触n-型和p-型驱动薄膜晶体管的源极和漏极的遮光图案和覆盖并直接接 触数据线和像素薄膜晶体管的源极的遮光线。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，一部分存储多晶硅半导体 图案设置在第二存储电极外部。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，层间绝缘膜包括接触像素 电极且由硅的氮化物形成的第一层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，层间绝缘膜进一步包括 在第一层下面且由硅的氧化物形成的第二层。