[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

在器件隔离区之间的半导体衬底上的两个栅电极；

在所述两个栅电极之间的所述半导体衬底上的共同源极区域；

在所述两个栅电极外侧的所述半导体衬底上的漏极区域；

在所述漏极区域上和在所述两个栅电极的外侧壁上的间隔物；

在所述两个栅电极的内侧壁上的第三氧化物层，所述内侧壁彼此相对； 和

在所述共同源极区域上的硅化物层。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中：

所述两个栅电极设置为两个平行栅电极线；

在所述两个平行栅电极线之间设置有多个间隔开的所述共同源极区 域；和

在位于所述多个共同源极区域的各个共同源极区域之间的沟槽中形成 离子注入层，所述离子注入层在平行于所述两个平行栅电极线的轴上电连 接所述多个共同源极区域。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，还包括：在包括所述栅电极 线、所述间隔物、所述器件隔离区、所述沟槽中的所述离子注入层、和所 述硅化物层的所述半导体衬底上的绝缘层。

4.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：

在器件隔离区之间的半导体衬底上形成两个栅电极；

在所述两个栅电极之间的所述半导体衬底中形成共同源极区域，和在 所述两个栅电极外侧和所述器件隔离区之间形成漏极区域；

在所述两个栅电极的侧壁上形成间隔物，所述间隔物设置在所述漏极 区域和所述共同源极区域上，其中所述间隔物包括第三氧化物层、第二氮 化物层和第四氧化物层；

移除在所述两个栅电极之间形成的所述第四氧化物层和所述第二氮化 物层，和移除在所述共同源极区域上形成的所述第三氧化物层；和

在所述共同源极区域上形成硅化物层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中当移除在所述共同源极区域上形成 的所述第三氧化物层时，所述第三氧化物层保留在所述两个栅电极之间的 所述内侧壁上。

6.根据权利要求4所述的方法，其中移除所述第四氧化物层和所述第二 氮化物层以及移除所述第三氧化物层包括：

形成光刻胶图案以暴露在所述共同源极区域上的间隔物；

通过第一蚀刻过程移除在所述两个栅电极之间暴露的第四氧化物层；

通过第二蚀刻过程移除在所述两个栅电极之间暴露的第二氮化物层；

通过第三蚀刻过程移除在所述共同源极区域上暴露的第三氧化物层； 和

移除所述光刻胶图案。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一蚀刻过程和第二蚀刻过程 使用湿蚀刻技术，所述第三蚀刻过程使用干蚀刻技术。

8.根据权利要求4所述的方法，其中形成所述硅化物层还包括：在所述 漏极区域上和所述两个栅电极的顶部上形成所述硅化物层。

9.根据权利要求4所述的方法，还包括：

在提供所述两个栅电极的两个平行栅极线之间，从使得所述共同源极 区域与相邻共同源极区域绝缘的器件隔离区移除器件绝缘层，由此在所述 两个平行栅极线之间的使得所述共同源极区域绝缘的每个器件隔离区处 的半导体衬底中形成沟槽，使得所述共同源极区域绝缘的各所述器件隔离 区在平行于所述两个平行栅极线的轴上间隔开；和

在使得所述共同源极区域绝缘的所述器件隔离区的移除了所述器件绝 缘层的所述沟槽中形成离子注入层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：在包括所述栅电极、所述间隔 物、所述器件隔离区、所述沟槽中的所述离子注入层、和所述硅化物层的 所述半导体衬底上形成绝缘层。