[发明专利]光刻设备及器件制造方法有效
申请号: | 200910159503.2 | 申请日: | 2009-05-31 |
公开(公告)号: | CN101598905A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | C·G·N·H·M·科林;N·坦凯特;N·R·凯姆波;M·K·斯达文哥;E·H·E·C·奥姆梅伦;M·瑞鹏;O·V·伊利西瓦;W·M·冈特;M·C·范德维肯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 设备 器件 制造 方法 | ||
1.一种浸没式光刻设备,包括:
衬底台,配置用于支撑衬底;
具有顶表面的遮蔽构件,其中,在使用中,所述顶表面大致与所述衬 底台的表面共平面,且所述遮蔽构件和衬底台的表面被间隙间隔开;
流体处理结构,配置以将液体供给和限制在投影系统和(i)所述衬底、 或(ii)所述衬底台、或(iii)所述遮蔽构件的表面、或(iv)从(i)-(iii) 中选择的任何组合之间;和
流体抽取系统,配置用于通过在所述遮蔽构件的侧壁表面和/或衬底台 的侧壁表面中的多个抽取开口从所述间隙移除液体;
其中,每个抽取开口是抽取通道的孔,并且每个抽取通道连接至收集 器通道,所述收集器通道与至少两个抽取通道相通。
2.根据权利要求1所述的光刻设备,其中,所述遮蔽构件是第二台。
3.根据权利要求2所述的光刻设备,其中,所述第二台是第二衬底台。
4.根据权利要求2所述的光刻设备,其中,所述第二台是测量台。
5.根据权利要求1所述的光刻设备,其中,所述遮蔽构件是在所述衬 底台和第二台之间的桥。
6.根据权利要求5所述的光刻设备,其中,所述桥是可回缩桥。
7.根据权利要求1所述的光刻设备,其中,围绕所述多个抽取开口的 间隙的侧壁表面是亲液的。
8.根据权利要求7所述的光刻设备,其中,所述间隙的远离所述多个 抽取开口的表面的至少一部分是疏液的。
9.根据权利要求8所述的光刻设备,其中,远离所述多个抽取开口的 基本上所有的间隙表面是疏液的。
10.根据权利要求1所述的光刻设备,其中,所述收集器通道与所有所 述抽取通道相通。
11.根据权利要求10所述的光刻设备,其中,所述收集器通道位于其 中形成有所述抽取开口的衬底台或遮蔽构件中。
12.根据权利要求10所述的光刻设备,其中,所述收集器通道的体积 基本上大于所述抽取通道的组合体积。
13.根据权利要求10所述的光刻设备,进一步包括控制器,所述控制 器配置用于控制从收集器通道流出的流量,以使得在抽取通道中的每一个 上的压降大于在抽取通道中存在的流体所产生的毛细压力。
14.根据权利要求13所述的光刻设备,其中,所述控制器被配置用于 控制从收集器通道中流出的流量,以使得在抽取通道中的每一个上的压降 至少大于收集器通道上的压降的5倍。
15.根据权利要求1-14中的任一项所述的光刻设备,其中,所述间隙 的上部边缘的半径小于0.5mm且大于0mm。
16.根据权利要求15所述的光刻设备,其中所述间隙的上部边缘的半 径在0.1mm和0.3mm之间。
17.根据权利要求1至14中的任一项所述的光刻设备,还包括控制器, 所述控制器配置用于控制物体在所述设备中的移动,以使得所述间隙在流 体处理结构下面仅沿第一方向移动。
18.根据权利要求1至14中的任一项所述的光刻设备,所述间隙开口 至抽取开口下面的气体源。
19.根据权利要求1至14中的任一项所述的光刻设备,还包括在间隙 中的凸台,所述凸台限定与衬底台的顶表面大致平行且在抽取开口下面的 表面。
20.根据权利要求19所述的光刻设备,其中,所述凸台从侧壁表面突 出在0.5mm和0mm之间的距离。
21.根据权利要求20所述的光刻设备,其中,所述凸台从侧壁表面突 出的距离在0.15mm和0.05mm之间。
22.根据权利要求19所述的光刻设备,其中,抽取开口的底部与所述 凸台共平面。
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