[发明专利]电介质陶瓷组合物和电子部件有效
申请号: | 200910159697.6 | 申请日: | 2009-07-31 |
公开(公告)号: | CN101638318A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 柴崎智也;小岛隆 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C04B35/49 | 分类号: | C04B35/49;C04B35/462;H01G4/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 庞立志;孙秀武 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电介质 陶瓷 组合 电子 部件 | ||
1.电介质陶瓷组合物,其具有:
用通式(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3表示的主成分、
包含Mg的氧化物的第1副成分、
包含选自Mn或者Cr的至少1种的氧化物的第2副成分、
包含R的氧化物的第3副成分,其中,R选自Y、La、Ce、Pr、Nd、 Sm、Gd、Tb、Dy、Ho和Yb的至少1种、和
包含含有Si的氧化物的第4副成分,其特征在于,
上述通式中,
0.20≤x≤0.40、
0≤y≤0.20、
0≤z≤0.30、且
0.950≤m≤1.050,
相对于上述主成分100摩尔,各副成分的比率为:
第1副成分:0.5~5摩尔,以元素换算、
第2副成分:0.05~2摩尔,以元素换算、
第3副成分:2~7摩尔,以元素换算、
第4副成分:0.5~5摩尔,以氧化物、或者复合氧化物换算,
在-25~105℃的温度范围,相对于具有显示以25℃的静电容量为 基准的容量温度特性的斜率a的直线,以25℃的静电容量为基准的静电 容量变化率在-15~+5%的范围内,
上述斜率a为-7000~-3000ppm/℃。
2.权利要求1所述的电介质陶瓷组合物,其特征在于,
上述电介质陶瓷组合物具有上述通式的y和z为0的主成分。
3.权利要求1所述的电介质陶瓷组合物,其特征在于,
相对于上述主成分100摩尔,以各元素换算,含有0~0.2摩尔第5 副成分,所述第5副成分含有选自V、Mo、W、Ta和Nb的至少1种的 氧化物。
4.权利要求2所述的电介质陶瓷组合物,其特征在于,
相对于上述主成分100摩尔,以各元素换算,含有0~0.2摩尔第5 副成分,所述第5副成分含有选自V、Mo、W、Ta和Nb的至少1种的 氧化物。
5.电子部件,其具有电介质层,所述电介质层含有权利要求1所述 的电介质陶瓷组合物。
6.电子部件,其具有电介质层,所述电介质层含有权利要求2所述 的电介质陶瓷组合物。
7.电子部件,其具有电介质层,所述电介质层含有权利要求3所述 的电介质陶瓷组合物。
8.电子部件,其具有电介质层,所述电介质层含有权利要求4所述 的电介质陶瓷组合物。
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