[发明专利]基底传送方法及其装置有效
申请号: | 200910160082.5 | 申请日: | 2009-07-22 |
公开(公告)号: | CN101964317A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 杨金成 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 传送 方法 及其 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种基底传送方法及其装置,特别是涉及一种在加热板(hot plate)之间传送晶圆的方法及其装置。
背景技术
加热板是广泛用于加热固体或液体的工具。对包括两阶段或更多阶段不同温度的热制造工艺而言,往往会使用相同对应数量的加热板,以达到连续处理多片基底。举例来说,光阻再热流(reflow)制造工艺通常包括在不同温度下的两个加热步骤,并分别使用两个加热板进行加热步骤。
图1是习知一种两步骤热制造工艺的光阻再热流制造工艺的温度曲线。图案化光阻层110形成在基底100上并具有开口120,对图案化光阻层110进行再热流制造工艺,以缩小开口120的尺寸。再热流制造工艺包括第一加热步骤与第二加热步骤,第一加热步骤是介于时间点t1与t2之间且在第一温度T1下的第一加热板上进行第一烘烤,第二加热步骤是介于时间点t3与t4之间且在第二温度T2(>T1)下的第二加热板上进行第二烘烤,其中制造工艺包含传送时间以在两个加热步骤之间将基底从第一加热板传送至第二加热板。在进行第二加热步骤之后,结果开口120a具有较小的尺寸。
一般而言,基底是藉由机器手臂而在加热板之间移动。然而,由于利用机器手臂进行移动需要相当长的时间(图1中的t2-t3时间段,约8-15秒),在传送时间的过程中会使有效温度(significant temperature)下降,造成热剂量(thermal dosage)以及结果开口的微缩与关键尺寸(criticaldimension,CD)难以控制。此外,基底传送太慢会使产能降低。
由此可见,上述现有的基底传送方法及其装置在方法、产品结构及使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般方法及产品又没有适切的方法及结构能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的基底传送方法及其装置,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
b本发明的目的在于,克服现有的基底传送方法存在的缺陷,而提供一种新的基底传送方法,所要解决的技术问题是使其有效缩短不同板体之间的传送时间,非常适于实用。
本发明的另一目的在于,克服现有的基底传送装置存在的缺陷,而提供一种新型结构的基底传送装置,所要解决的技术问题是使其使不同板体之间的传送时间显著减少,从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的基底传送方法。在第一位置的第一板体表面上提供基底。将第一板体从第一位置移动至位于第二板体上部空间的第二位置。将基底自第一板体的表面升起。将第一板体自第二位置移开。接着,将基底从上部空间放到第二板体的表面上。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
在一实施例中,上述的第一板体与第二板体为加热板以加热基底,加热板的表面具有不同的加热温度。
在一实施例中,将基底自第一板体的表面升起的步骤与将基底放在第二板体的表面上的步骤是使用一组可从第二板体的表面伸长及收回的顶针。在将基底自第一板体的表面升起的步骤以及将第一板体自第二位置移开的步骤中,顶针通过第一板体中的一组间隙。
在一实施例中,本发明的基底传送方法更包括下列步骤。将基底自第二板体的表面升起。将第三板体移动至基底与第二板体之间的空间。将基底放在第三板体的表面上。将第三板体自第二板体的上部空间移至第三位置。
第一板体与第二板体可以是加热板以加热基底,加热板的表面具有不同的加热温度,且第三板体为冷却板以冷却基底。
在一实施例中,当使用第三板体时,将基底自第一板体的表面升起的步骤、将基底放在第二板体的表面上的步骤、将基底自第二板体表面升起的步骤、将基底放在第三板体的表面上的步骤使用一组可从第二板体的表面伸长及收回的顶针。在将基底自第一板体的表面升起的步骤以及将第一板体自第二位置移开的步骤中,顶针通过第一板体中的一组间隙;而在将第三板体移至基底与第二板体之间的空间的步骤以及将基底放在第三板体的表面上的步骤中,顶针通过第三板体中的一组间隙。
在一实施例中,上述所传送的基底为晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造