[发明专利]堆叠存储器模块和系统

权利要求书

1.一种三维存储系统，包含：

主芯片，具有主存储核心；

与所述主芯片堆叠的至少一块从芯片，其中每一块从芯片都具有各自的 从存储核心；和

贯穿电极，贯穿所述至少一块从芯片而形成；

第一接口，在所述主芯片中的第一I／O单元和外部设备之间；

第二接口，在所述第一I／O单元与主芯片和从芯片中的每一块各自的第 二I／O单元之间；

第三接口，在所述第二I／O单元中的每一个与所述从存储核心和主存储 核心中的相应一个之间。

2.如权利要求1所述的三维存储系统，其中所述从存储核心和主存储核 心形成所述三维存储系统的总的存储容量。

3.如权利要求1所述的三维存储系统，其中所述从存储核心和主存储核 心形成在所述三维存储系统的至少一个存储体、存储体组或存储排处。

4.如权利要求1所述的三维存储系统，其中当将所述主芯片形成为在基 片之上面向上时，所述贯穿电极形成于所述主芯片上但不贯穿所述主芯片。

5.如权利要求1所述的三维存储系统，其中将所述主芯片形成为在基片 之上面向下。

6.如权利要求5所述的三维存储系统，其中贯穿所述主芯片而形成所述 贯穿电极。

7.如权利要求5所述的三维存储系统，其中沿着横跨所述主芯片的中心 区域所形成的至少一行来排列所述贯穿电极，而相互连接从所述贯穿电极延 伸到所述主存储核心中的至少一个存储体。

8.如权利要求7所述的三维存储系统，进一步包含：

I／O电路，被布置于在所述贯穿电极的行之间的所述主芯片上。

9.如权利要求7所述的三维存储系统，进一步包含：

形成于所述主芯片上并且与贯穿电极的行平行的I／O焊盘的至少一行， 其中将所述I／O焊盘耦接到所述主芯片的I／O电路。

10.如权利要求1所述的三维存储系统，进一步包含：

各个测试电路，被布置于贯穿电极的行之间的所述主芯片和从芯片中的 每一块上。

11.如权利要求1所述的三维存储系统，进一步包含：

基片，具有将外部信号提供到所述主芯片的外部端子，所述主芯片形成 为在基片之上面向下。

12.如权利要求1所述的三维存储系统，进一步包含：

各个状态电路，用于对于所述从存储核心和主存储核心中的每一个，指 示各个命令执行状态，其中在所述从芯片和主芯片中的相应一个内布置每一 个状态电路；和

跟踪电路，被布置于所述主芯片中，用于根据由所述各个状态电路所指 示的所述从存储核心和主存储核心的各个命令执行状态而控制所述第一I／O 单元。

13.如权利要求1所述的三维存储系统，进一步包含：

主状态电路，被布置于所述主芯片中，用于对于所述从存储核心和主存 储核心中的每一个指示各个命令执行状态；和

跟踪电路，被布置于所述主芯片中，用于根据由所述主状态电路所指示 的所述从存储核心和主存储核心的各个命令执行状态来控制所述第一I/O单 元。

14.如权利要求1所述的三维存储系统，进一步包含：

多块从芯片，被堆叠于所述主芯片之上，其中每一块从芯片都具有各自 的从存储核心；

并且其中以所述堆叠的从芯片中的每一块的相应部分来形成所述三维存 储系统的至少一个存储体、存储体组或存储排。

15.如权利要求1所述的三维存储系统，其中以所述堆叠的从芯片和主 芯片中的每一块的相应部分来形成所述三维存储系统的至少一个存储体、存 储体组或存储排。