[发明专利]用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置及加热器有效
申请号: | 200910160323.6 | 申请日: | 2009-08-07 |
公开(公告)号: | CN101645410A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 余振华;黄见翎 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 姜 燕;陈 晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 晶片 制造 工艺 承载 装置 加热器 | ||
1.一种用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置,包括:
一导热层,设置于一支撑基座上,该导热层耦接至一加热电路;
一固定夹承载环,固定于该支撑基座的一边缘上;
一晶片基底固定装置,用以将一待承载晶片基底固定于该支撑基座上, 其中该晶片基底固定装置包括多个晶片基底固定夹,连接至该固定夹承载 环;以及
一控制电路,耦接至所述晶片基底固定夹,使所述多个晶片基底固定夹 夹紧或松开。
2.如权利要求1所述的用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置,其中 每一所述晶片基底固定夹包括一弹性弹簧。
3.如权利要求1所述的用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置,还包 括:
多个孔洞,穿过该导热层;以及
多个导热支撑杆,耦接至该加热电路,且延伸穿过所述孔洞并超出该导 热层,每一所述导热支撑杆具有一顶端,用以与一晶片直接接触。
4.一种用于半导体晶片制造工艺的加热器,包括:
一导热层,设置于一支撑基座上,该导热层耦接至一加热电路;
多个第一孔洞,穿过该导热层,所述多个第一孔洞分布于该导热层中靠 近中心的一内区,以及分布于该导热层中靠近边缘的一外区;以及
一晶片基底固定装置,用以将一待承载晶片基底固定于该支撑基座上, 其中该晶片基底固定装置包括:
一第一真空源,连接至该内区中的所述孔洞;以及
一第二真空源,连接至该外区中的所述孔洞,其中该第一真空源及 该第二真空源用以通过所述孔洞提供吸力。
5.如权利要求4所述的用于半导体晶片制造工艺的加热器,还包括一控 制电路,用以分别开启该第一真空源及该第二真空源。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造