[发明专利]用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置及加热器有效

专利信息
申请号: 200910160323.6 申请日: 2009-08-07
公开(公告)号: CN101645410A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 余振华;黄见翎 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 姜 燕;陈 晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 晶片 制造 工艺 承载 装置 加热器
【权利要求书】:

1.一种用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置,包括:

一导热层,设置于一支撑基座上,该导热层耦接至一加热电路;

一固定夹承载环,固定于该支撑基座的一边缘上;

一晶片基底固定装置,用以将一待承载晶片基底固定于该支撑基座上, 其中该晶片基底固定装置包括多个晶片基底固定夹,连接至该固定夹承载 环;以及

一控制电路,耦接至所述晶片基底固定夹,使所述多个晶片基底固定夹 夹紧或松开。

2.如权利要求1所述的用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置,其中 每一所述晶片基底固定夹包括一弹性弹簧。

3.如权利要求1所述的用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置,还包 括:

多个孔洞,穿过该导热层;以及

多个导热支撑杆,耦接至该加热电路,且延伸穿过所述孔洞并超出该导 热层,每一所述导热支撑杆具有一顶端,用以与一晶片直接接触。

4.一种用于半导体晶片制造工艺的加热器,包括:

一导热层,设置于一支撑基座上,该导热层耦接至一加热电路;

多个第一孔洞,穿过该导热层,所述多个第一孔洞分布于该导热层中靠 近中心的一内区,以及分布于该导热层中靠近边缘的一外区;以及

一晶片基底固定装置,用以将一待承载晶片基底固定于该支撑基座上, 其中该晶片基底固定装置包括:

一第一真空源,连接至该内区中的所述孔洞;以及

一第二真空源,连接至该外区中的所述孔洞,其中该第一真空源及 该第二真空源用以通过所述孔洞提供吸力。

5.如权利要求4所述的用于半导体晶片制造工艺的加热器,还包括一控 制电路,用以分别开启该第一真空源及该第二真空源。

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