[发明专利]等离子体滤筛装置、等离子体滤筛方法及其等离子体设备无效
申请号: | 200910160471.8 | 申请日: | 2009-07-23 |
公开(公告)号: | CN101964301A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 陈庆昌 | 申请(专利权)人: | 陈庆昌 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H05H1/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 装置 方法 及其 设备 | ||
1.一种等离子体滤筛装置,其特征在于,包括:
一滤筛结构体,其具有多个孔洞,其中该滤筛结构体包含:
一导体结构与一绝缘结构;以及
一控制电路系统,其耦接于该导体结构。
2.如权利要求1所述的等离子体滤筛装置,其特征在于:该导体结构包含有至少一具有多个导体基板孔位的导体层体,该绝缘结构包含有至少一具有多个绝缘结构孔位的绝缘层体,且所述多个导体基板孔位与所述多个绝缘结构孔位形成所述多个孔洞。
3.如权利要求2所述的等离子体滤筛装置,其特征在于:该控制电路系统耦接于所述至少一导体层体,且该控制电路系统独立控制每一个所述导体层体的电压、电流或频率。
4.如权利要求1所述的等离子体滤筛装置,其特征在于:该导体结构包含有多个具有多个导体基板孔位的导体层体,该绝缘结构包含有多个绝缘体,所述导体层体与所述多个绝缘体交错地上下叠合,且每一绝缘体设置于两相邻的该导体层体之间,每一绝缘体位于该导体层体的旁侧,而所述导体层体上的所述多个导体基板孔位相互对应以形成所述多个孔洞。
5.如权利要求1所述的等离子体滤筛装置,其特征在于:该导体结构包含有至少一个外围导体及至少一个导体层体,该外围导体围绕于该导体层体的外围。
6.如权利要求1所述的等离子体滤筛装置,其特征在于:还包括一设置于该滤筛结构体旁侧的磁力模块。
7.一种等离子体设备,其特征在于,包括:一等离子体反应室,该等离子体反应室中容置有一基板,该等离子体设备于该等离子体反应室中的等离子体区域形成等离子体,其特征在于,该等离子体反应室中装设有一等离子体滤筛装置,该等离子体滤筛装置相对于该基板而位于该等离子体区域下方,该等离子体滤筛装置包括一滤筛结构体以及一耦接于该滤筛结构体的控制电路系统,该滤筛结构体由一导体结构与一绝缘结构所上下叠合成型,该滤筛结构体具有多个孔洞。
8.一种等离子体滤筛方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一等离子体设备与一装设于该等离子体设备的等离子体反应室中的一等离子体滤筛装置;以及
当等离子体生成于该等离子体反应室中的等离子体区域时,利用该等离子体滤筛装置所产生的电场,筛选通过该等离子体滤筛装置的物质。
9.如权利要求8所述的等离子体滤筛方法,其特征在于:在筛选通过该等离子体滤筛装置的物质的步骤中,被该等离子体滤筛装置所产生的电场所阻拦的带电物质回流至该等离子体区域。
10.如权利要求8所述的等离子体滤筛方法,其特征在于:在筛选通过该等离子体滤筛装置的物质的步骤中,通过该等离子体滤筛装置所产生的电场,可控制通过该等离子体滤筛装置的离子、质子或电子的数量与能量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造