[发明专利]激光辐照方法和激光辐照装置

权利要求书

1.一种用于制造半导体设备的方法，包括：

在基片上形成半导体膜；

通过使激光振荡器所发出的激光束穿过狭缝，来阻挡所述激光束的低强度部 分；以及

用凸柱面透镜将在所述狭缝处形成的像投影到所述半导体膜的受辐照表面 上，以使所述半导体膜结晶化；

其中所述激光束在所述受辐照表面上被定形为线形光束，并且

所述狭缝、所述凸柱面透镜以及所述受辐照表面排列成使所述狭缝和所述凸 柱面透镜之间的距离M1以及所述凸柱面透镜和所述受辐照表面之间的距离M2满 足下面的方程1和2：

M1＝f(s+D)/D  [方程1]

M2＝f(s+D)/s  [方程2]

其中s是所述狭缝的宽度，D是所述线形光束在长边方向上的长度，而f是所述凸 柱面透镜的焦距。

2.如权利要求1所述的用于制造半导体设备的方法，其特征在于，

在所述激光振荡器和所述狭缝之间设置用于使所述激光束的前进方向弯曲一 预定角度的镜子。

3.如权利要求1所述的用于制造半导体设备的方法，其特征在于，

在所述凸柱面透镜和所述受辐照表面之间设置从所述凸柱面透镜所处方位起 旋转了90度的第二凸柱面透镜。

4.一种用于制造半导体设备的方法，包括：

在基片上形成半导体膜；

用倾斜一预定角度的镜子弯曲激光振荡器所发出的激光束；

使所述激光束穿过第一凸球面透镜，以便因像散而形成线形光束；

用狭缝来阻挡所述线形光束的低强度部分；以及

通过使用第二凸球面透镜，将所述线形光束在所述狭缝处的像投影到所述半 导体膜的受辐照表面上，以使所述半导体膜结晶化；

其中所述狭缝、所述第二凸球面透镜以及所述受辐照表面排列成使所述狭缝 和所述第二凸球面透镜之间的距离M1以及所述第二凸球面透镜和所述受辐照表 面之间的距离M2满足方程1和2：

M1＝f(s+D)/D  [方程1]

M2＝f(s+D)/s  [方程2]

其中s是所述狭缝的宽度，D是所述线形光束在长边方向上的长度，而f是所述第 二凸球面透镜的焦距。

5.一种激光辐照方法，包括：

在基片上形成半导体膜；

通过使激光振荡器所发出的激光束穿过狭缝，来阻挡所述激光束的低强度部 分；以及

用凸球面透镜将所述狭缝处所形成的像投影到所述半导体膜的受辐照表面 上，以使所述半导体膜结晶化；

其中所述激光束在所述受辐照表面上被定形为线形光束，并且

所述狭缝、所述凸球面透镜以及所述受辐照表面排列成使所述狭缝和所述凸 球面透镜之间的距离M1以及所述凸球面透镜和所述受辐照表面之间的距离M2满 足下面的方程1和2：

M1＝f(s+D)/D  [方程1]

M2＝f(s+D)/s  [方程2]

其中s是所述狭缝的宽度，D是所述线形光束在长边方向上的长度，而f是所述凸 球面透镜的焦距。