[发明专利]压控振荡器电路以及包括该压控振荡器电路的半导体设备

权利要求书

1.一种压控振荡器VCO电路，包括：

输入电压接收器，其接收输入到VCO电路的第一电压以便产生第一电 流；

电流反射镜，其复制第一电流以产生第二电流；以及

频率振荡器，其响应于第二电流而振荡，

其中，输入电压接收器包括：

电平移动器，其将第一电压的电压电平移动到第二电压的电压电 平；和

第一电流产生器，其产生与第二电压相对应的所述第一电流，

该VCO电路还包括第二电压偏置单元，其在第二电压增大为高于参考 电压电平时，将第二电压偏置为低于该参考电压电平，

其中，第二电压偏置单元包括晶体管，该晶体管是第一类型且与电流反 射镜并联连接，并且该晶体管的一端连接到电平移动器的一端。

2.如权利要求1所述的VCO电路，其中，电平移动器包括第一输入晶 体管，该第一输入晶体管响应于第一电压而导通，并且是第一类型。

3.如权利要求2所述的VCO电路，其中，第一输入晶体管是P沟道金 属氧化物半导体PMOS晶体管，第一电压通过该PMOS晶体管的栅极而施加 到该PMOS晶体管。

4.如权利要求2所述的VCO电路，其中，第一电流产生器包括第二输 入晶体管，该第二输入晶体管响应于作为第一输入晶体管的一端的电压的第 二电压而导通，连接到电流反射镜，是与第一类型不同的第二类型，并且具 有与第一输入晶体管相同的大小。

5.如权利要求3所述的VCO电路，其中，第二输入晶体管是N沟道金 属氧化物半导体NMOS晶体管，第二电压通过该NMOS晶体管的栅极而施 加到该NMOS晶体管。

6.如权利要求1所述的VCO电路，其中，频率振荡器包括多个反相器， 它们响应于第二电流而反相，并且彼此串联连接。

7.一种锁相环PLL设备，包括如权利要求1所述的VCO电路。

8.一种压控振荡器VCO电路，包括：

输入电压接收器，其接收输入到VCO电路的第一电压以便产生第一电 流；

电流反射镜，其复制第一电流以便产生第二电流；以及

频率振荡器，其响应于第二电流而振荡，

其中，输入电压接收器包括：

第一输入晶体管，其响应于第一电压而导通，并且是第一类型；和

第二输入晶体管，其响应于作为第一输入晶体管的一端的电压的第 二电压而导通以便产生所述第一电流，连接到电流反射镜，是与第一类 型不同的第二类型，并且具有与第一输入晶体管相同的大小，

该VCO电路还包括第二电压偏置单元，其在第二电压增大为高于参考 电压电平时，将第二电压偏置为低于该参考电压电平，

其中，第二电压偏置单元包括晶体管，该晶体管是第一类型且与电流反 射镜并联连接，并且该晶体管的一端连接到第一输入晶体管的所述一端。

9.如权利要求8所述的VCO电路，其中，第一输入晶体管是P沟道金 属氧化物半导体PMOS晶体管，第一电压通过该PMOS晶体管的栅极而施加 到该PMOS晶体管。

10.如权利要求9所述的VCO电路，其中，第二输入晶体管是N沟道 金属氧化物半导体NMOS晶体管，第二电压通过该NMOS晶体管的栅极而 施加到该NMOS晶体管。

11.如权利要求8所述的VCO电路，其中，频率振荡器包括多个反相 器，它们响应于第二电流而反相，并且彼此串联连接。

12.一种锁相环PLL设备，包括如权利要求8所述的VCO电路。