[发明专利]X射线检测器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910160773.5 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101957452A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 邬柱;张风超 | 申请（专利权）人： | GE医疗系统环球技术有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/20 | 分类号： | G01T1/20;H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;徐予红 |
| 地址： | 美国威*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射线 检测器 及其 制造 方法 | ||
1.一种检测X射线的X射线检测器，包括：
光电检测器；以及
由涂覆在光电检测器的光接收表面上的荧光材料形成的闪烁体层，所述荧光材料将X射线转换为光。
2.如权利要求1所述的X射线检测器，其中所述荧光材料是稀土元素的酸式硫化物(acid sulfide)。
3.如权利要求2所述的X射线检测器，其中所述稀土元素的酸式硫化物是钆的酸式硫化物(Gd2O2S:Tb)。
4.如权利要求1所述的X射线检测器，其中预先对所述光电检测器的所述光接收表面进行表面处理。
5.如权利要求1所述的X射线检测器，其中预先将透明的绝缘材料涂覆至所述光电检测器的所述光接收表面。
6.如权利要求1所述的X射线检测器，其中所述光电检测器在所述光接收表面上具有光电二极管阵列。
7.如权利要求6所述的X射线检测器，其中所述光电二极管阵列是二维阵列。
8.如权利要求7所述的X射线检测器，其中所述二维阵列由薄膜半导体组成。
9.如权利要求8所述的X射线检测器，其中所述薄膜半导体是非晶硅。
10.如权利要求1所述的X射线检测器，其中所述荧光材料在其位于与所述光电检测器相对的一侧的表面上具有X射线透射保护膜。
11.一种制造用于检测X射线的X射线检测器的方法，包括将荧光材料涂覆至光电检测器的光接收表面以形成闪烁体层的步骤。
12.如权利要求11所述的制造X射线检测器的方法，其中所述荧光材料是稀土元素的酸式硫化物。
13.如权利要求12所述的制造X射线检测器的方法，其中所述稀土元素的酸式硫化物是钆的酸式硫化物(Gd2O2S:Tb)。
14.如权利要求11所述的制造X射线检测器的方法，还包括在形成所述闪烁体层的步骤之前对所述光电检测器的所述光接收表面进行表面处理的步骤。
15.如权利要求11所述的制造X射线检测器的方法，其中在形成透明该闪烁体层的步骤之前将透明绝缘材料涂覆至所述光电检测器的所述光接收表面。
16.如权利要求11所述的制造X射线检测器的方法，其中所述光电检测器在所述光接收表面上具有光电二极管阵列。
17.如权利要求16所述的制造X射线检测器的方法，其中所述光电二极管阵列是二维阵列。
18.如权利要求17所述的制造X射线检测器的方法，其中所述二维阵列由薄膜半导体组成。
19.如权利要求18所述的制造X射线检测器的方法，其中所述薄膜半导体是非晶硅。
20.如权利要求11所述的制造X射线检测器的方法，还包括在与所述光电检测器相对的一侧的所述荧光材料的表面上形成X射线透射保护膜的步骤。
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