[发明专利]玻璃纹理化

权利要求书

1.一种对玻璃表面进行纹理化的方法，所述方法包括以下步骤：

用铝膜包覆玻璃表面，

在玻璃和铝膜之间的界面处通过加温退火工序激发反应，导致在界面处形成反应产物，以及

通过化学蚀刻从玻璃表面除去铝膜和反应产物。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加温退火工序包括一系列不同温度下的退火步骤。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述加温退火工序在受控的环境气氛下进行。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述玻璃表面起初是平整的。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应产物含有氧化铝和硅。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述玻璃包括石英、浮法玻璃或非浮法玻璃。

7.一种光电设备，它包括：

由权利要求1所述方法形成的具有纹理表面的玻璃片；

在玻璃片的有纹理表面上形成的半导体膜，该半导体膜对波长600-1200纳米的光子的内吸收率大于0.5。

8.如权利要求7所述的光电设备，其中所述的玻璃片的表面有凹痕，凹痕的平均尺寸范围为从小于1微米到10微米。

9.一种制造权利要求7所述光电设备的方法，所述方法包括以下步骤：使用权利要求1所述的方法对玻璃表面进行纹理化，在有纹理的玻璃表面上沉积半导体膜，由此使得半导体膜面对玻璃的面具有与玻璃表面相同的纹理程度。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体膜以这样的方式沉积：使有纹理的玻璃表面与半导体膜之间不存在裂缝或空隙。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在玻璃和半导体之间形成介电隔离层。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述介电隔离层是在沉积半导体膜之前在有纹理的玻璃表面上形成的。

13.如权利要求11或12所述的方法，其特征在于，所述介电隔离层含有氧化硅或氮化硅。

14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体膜包含结晶的和/或无定形的半导体材料。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述半导体材料含有硅。