[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1、一种发光二极管芯片，包括热沉基板(1)、设置在该热沉基板(1)上的金属接合层(3)及装置在所述热沉基板(1)上方的裸芯(4)，其中，所述裸芯(4)包括：n型半导体层(44)及依次叠加于该n型半导体层(44)上的发光层(43)、p型半导体层(42)、反射层(41)以及形成于所述n型半导体层(44)上的电极层(45)，其特征在于：所述金属接合层(3)包括彼此分隔地设置于所述热沉基板(1)上表面的并可与外接电源线连接的第一接合层(31)和第二接合层(32)，且所述第一接合层(31)与所述反射层(41)接合，所述第二接合层(32)与所述电极层(45)接合，所述热沉基板(1)至少将其上表面与金属接合层(3)的接触部分设为绝缘部分，所述裸芯(4)通过所述第一接合层(31)和第二接合层(32)与外接电源线的连接而形成热电分离的电流通路。

2、根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于上述热沉基板(1)为由绝缘材料制成的绝缘板。

3、根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于上述热沉基板(1)为由导电材料制成的底板(12)及位于所述底板(12)上的用于将该底板(12)与上述金属接合层(3)隔离的绝缘层(11)形成。

4、根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于上述第一接合层(31)包括位于上述热沉基板(1)上表面的圆形中央部分(301)及从该圆形中央部分(301)的一侧向上述裸芯(4)外延伸的用于与外接电源线连接的引出部分(302)和焊线部分(303)，上述第二接合层(32)呈不完全包围状围绕在第一接合层(31)的周围，上述反射层(41)、p型半导体层(42)、发光层(43)为圆形且相应叠装于上述n型半导体层(44)的中央部分并与上述第一接合区(31)的圆形中央部分接合，上述电极层(45)形成于上述n型半导体层(44)的周围并与上述反射层(41)、p型半导体层(42)、发光层(43)彼此分隔，且所述电极层(45)对应上述第一接合层(31)引出部分(302)的位置开有防止电路短路的槽口(47)。

5、根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于上述第一接合层(31)的圆形中央部分(301)为凸设于上述热沉基板(1)上表面的圆形凸台。

6、根据权利要求4或5所述的发光二极管芯片，其特征在于上述电极层(45)与叠装在一起的反射层(41)、p型半导体层(42)、发光层(43)之间的距离相等。

7、根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于上述第一接合层(31)和第二接合层(32)呈左、右排列地分布于上述热沉基板(1)上，上述反射层(41)、p型半导体层(42)、发光层(43)叠装于上述n型半导体层(44)上对应第一接合层(31)的位置，上述电极层(45)形成于上述n型半导体层(44)上对应第二接合层(32)的位置并与上述反射层(41)、p型半导体层(42)、发光层(43)彼此分隔。

8、根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于上述热沉基板(1)的上方装有多颗裸芯(4)，上述第一接合层(31)和第二接合层(32)在上述热沉基板(1)的上表面呈相间穿插设置而构成多个与裸芯(4)对应的导电区域。

9、根据权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于上述各裸芯(4)的反射层(41)、p型半导体层(42)和发光层(43)、电极层(45)成型于同一n型半导体层(44)上而形成大功率裸芯结构。

10、根据权利要求9所述的发光二极管芯片，其特征在于上述第一接合层(31)包括多条小接合层(311)及将各条小接合层(311)端部连接并向上述裸芯(4)一侧外延的用于与外接电源线连接的引出部分(314)和焊线部分(313)，上述第二接合层(32)包括多条设置在上述小接合层(311)外围的且一端部相连的多条小接合层(321)。