[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备有效
| 申请号： | 200910161021.0 | 申请日： | 2009-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101634817A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 小泽智仁;秋山和敬;西村悠 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G03G5/08 | 分类号： | G03G5/08;G03G15/00;G03G15/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;闫俊萍 |
| 地址： | 日本东京都大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 照相 感光 构件 设备 | ||
1.一种电子照相感光构件，其包括光导电层和设置于该光 导电层上的由氢化非晶碳化硅构成的表面层；
在所述表面层中，碳原子原子数C与硅原子原子数Si和碳 原子原子数C的总和之比C/(Si+C)为0.61以上至0.75以下；以及
在所述表面层中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度 的总和为6.60×1022原子/cm3以上。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中在该表 面层中，氢原子原子数H与硅原子原子数Si、碳原子原子数C和 氢原子原子数H的总和之比H/(Si+C+H)为0.30以上至0.45以下。
3.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中在所述 表面层中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和为 6.81×1022原子/cm3以上。
4.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中在所述 表面层的拉曼光谱中，1,390cm-1的峰强度ID与1,480cm-1的峰强 度IG之比ID/IG为0.20以上至0.70以下。
5.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述光 导电层为包含氢化非晶硅的层。
6.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其进一步包 含设置在所述光导电层和所述表面层之间的中间层；
在所述中间层中，碳原子原子数C与硅原子原子数Si和碳 原子原子数C的总和之比C/(Si+C)为0.61以上至0.75以下；以及
在所述中间层中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度 的总和为5.50×1022原子/cm3以上至6.45×1022原子/cm3以下。
7.一种电子照相设备，其包括电子照相感光构件和用于使 电子照相感光构件表面充电的充电组件；
所述电子照相感光构件为包括光导电层和设置于所述光 导电层上的由氢化非晶碳化硅构成的表面层的电子照相感光构 件；
在所述表面层中，碳原子原子数C与硅原子原子数Si和碳 原子原子数C的总和之比C/(Si+C)为0.61以上至0.75以下；以及
在所述表面层中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度 的总和为6.60×1022原子/cm3以上。
8.根据权利要求7所述的电子照相设备，其中所述充电组 件为电晕充电组件。
9.根据权利要求7所述的电子照相设备，其中所述充电组 件包括面对电子照相感光构件的开口部和能够保护该开口部的 保护构件。
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