[发明专利]光电转换器和光电转换元件无效
申请号: | 200910161048.X | 申请日: | 2009-08-05 |
公开(公告)号: | CN101645454A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 村田昌树 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L27/144;H01L51/42;H01L31/10 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换器 转换 元件 | ||
1.一种光电转换器,其包括a)光电转换元件和b)用来检测电流变化 的电流检测电路,所述光电转换元件包括:
a-1)分开设置的第一电极和第二电极;以及
a-2)设置在所述第一电极与所述第二电极之间的光电转换材料层,
并且在所述光电转换元件中,在所述第一电极与所述第二电极之间 施加电压的同时向所述光电转换材料层施加恒定光量时,所述光电转换 材料层中产生的电流随着施加时间而变化,
其中,当由所述第一电极、所述光电转换材料层和所述第二电极构 成电容器时,所述光电转换材料层中的电流随着施加时间的变化对应于 流过所述电容器的瞬态电流的变化。
2.如权利要求1所述的光电转换器,其中,在上述电流变化的电流 减小期间中的时间常数为τ(P),
上述τ(P)被表示为单位时间内施加在所述光电转换材料层上的光量 的函数,并且
所述电流检测电路能够计算出上述τ(P)。
3.如权利要求1所述的光电转换器,其中,在上述电流变化的电流 减小期间中的时间常数为τ(P),
在电流减小期间中的电流Idec由下面的公式表示:
Idec=C1·I0(P)·exp{-t/τ(P)}+C2 (1)
其中的t表示从电流减小期间起始时刻开始所经过的时间,在该起 始时刻处,在上述电流变化中出现从电流增大期间到电流减小期间的转 变并且此时的t为0,
I0(P)表示在t=0时刻向所述光电转换材料层施加恒定光量时在所述 光电转换材料层中产生的电流,
C1和C2分别表示常数,并且
所述电流检测电路能够确定出Idec。
4.如权利要求3所述的光电转换器,其中,所述电流检测电路能够 通过求出公式(1)相对于t从0到最大值100毫秒的积分来确定电流积分 值。
5.如权利要求1所述的光电转换器,其中,所述光电转换材料层包 括有机材料。
6.如权利要求5所述的光电转换器,其中,所述光电转换材料层的 载流子迁移率为10cm2/V·秒以下。
7.一种光电转换元件,其包括:
A)分开设置的第一电极和第二电极;以及
B)设置在所述第一电极与所述第二电极之间的光电转换材料层,
其中,在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压的同时向所述 光电转换材料层施加恒定光量时,所述光电转换材料层中产生的电流随 着施加时间而变化,及
当由所述第一电极、所述光电转换材料层和所述第二电极构成电容 器时,所述光电转换材料层中的电流随着施加时间的变化对应于流过所 述电容器的瞬态电流的变化。
8.如权利要求7所述的光电转换元件,其中,在上述电流变化的电 流减小期间中的时间常数为τ(P),并且
上述τ(P)被表示为单位时间内施加在所述光电转换材料层上的光量 的函数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的