[发明专利]切割/芯片接合薄膜

权利要求书

1.一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄 膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，

所述粘合剂层由丙烯酸类粘合剂形成，所述丙烯酸类粘合剂由丙 烯酸类聚合物和相对于所述丙烯酸类聚合物100重量份的比例在10～60 重量份的范围内的分子内具有2个以上自由基反应性碳碳双键的化合 物构成，所述丙烯酸类聚合物由丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯100摩尔% 的比例在10～40摩尔%范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体100 摩尔%的比例在70～90摩尔%范围内的分子内具有自由基反应性碳碳双 键的异氰酸酯化合物构成，

所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成，并且层压在所述粘合剂层上，

其中，所述丙烯酸酯以相对于丙烯酸酯总量100摩尔%为50～91 摩尔%的比例含有由CH₂=CHCOOR表示的丙烯酸酯A，式中，R为碳 原子数6～10的烷基。

2.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯 片接合薄膜层压在紫外线照射后的粘合剂层上。

3.如权利要求1或2所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所 述粘合剂层的紫外线照射后的23℃下的拉伸弹性模量在40～170MPa的 范围内。

4.如权利要求2所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述紫 外线照射时的积分光量在30～1000mJ/cm²的范围内。

5.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述含 羟基单体为选自由（甲基）丙烯酸-2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羟 基丙酯、（甲基）丙烯酸-4-羟基丁酯、（甲基）丙烯酸-6-羟基己酯、 （甲基）丙烯酸-8-羟基辛酯、（甲基）丙烯酸-10-羟基癸酯、（甲基） 丙烯酸-12-羟基十二烷酯和（甲基）丙烯酸（4-羟甲基环己基）甲酯组 成的组中的至少任意一种。

6.如权利要求1或2所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所 述具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物为选自2-甲基丙烯酰 氧乙基异氰酸酯或者2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯的至少任意一种。

7.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述丙 烯酸类聚合物的重均分子量在35万～100万的范围内。

8.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，在温度 23℃、剥离角度15度、剥离速度300mm/分钟条件下从所述芯片接合 薄膜上剥离切割薄膜时，切割薄膜对于所述芯片接合薄膜的剥离粘合 力在0.5～0.8N/10mm的范围内。

9.如权利要求1或2所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，构 成所述粘合剂层的所述丙烯酸类聚合物不含丙烯酸作为单体成分。

10.一种切割/芯片接合薄膜的制造方法，所述切割/芯片接合薄膜 具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片 接合薄膜，其特征在于包括：

通过丙烯酸类粘合剂在所述基材上形成粘合剂层前体的工序，所 述丙烯酸类粘合剂由丙烯酸类聚合物和相对于所述丙烯酸类聚合物 100重量份的比例在10～60重量份的范围内的分子内具有2个以上自由 基反应性碳碳双键的化合物构成，所述丙烯酸类聚合物由丙烯酸酯、 相对于丙烯酸酯100摩尔%的比例在10～40摩尔%范围内的含羟基单体 和相对于含羟基单体100摩尔%的比例在70～90摩尔%范围内的分子内 具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成；和

在所述粘合剂层前体上层压所述芯片接合薄膜的工序，

其中，所述丙烯酸酯以相对于丙烯酸酯总量100摩尔%为50～91 摩尔%的比例含有由CH₂=CHCOOR表示的丙烯酸酯A，式中，R为碳 原子数6～10的烷基。

11.如权利要求10所述的切割/芯片接合薄膜的制造方法，其特征 在于，在所述层压芯片接合薄膜的工序之前，包括对所述粘合剂层前 体照射紫外线而形成所述粘合剂层的工序。