[发明专利]阵列基板有效
申请号: | 200910161274.8 | 申请日: | 2009-07-28 |
公开(公告)号: | CN101639597A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 刘惠兰;严允成;金寿桢;柳在镇;朴乘范 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 | ||
技术领域
本发明涉及阵列基板、制造阵列基板的方法以及具有该阵列基板的液晶 显示(LCD)装置。更具体地,本发明的示范性实施例涉及具有改善的显示 质量的阵列基板、制造该阵列基板的方法以及具有该阵列基板的LCD装置。
背景技术
移动构图垂直配向(mPVA)模式的LCD装置(下文中被称为mPVA LCD 装置)可以具有其中施加圆偏振且透射率相对优于其它模式的光模式(optical mode)。
与施加线偏振的PVA模式相比,具有圆偏振光模式的mPVA LCD装置 会具有涉及视觉特性或者对比度的缺点。然而,线偏振PVA模式的透射率 会低于圆偏振PVA模式的透射率。
因此,当线偏振光模式可应用于mPVA模式时,像素的开口率可以很大, 且液晶指向矢可以相对于偏振器的偏振轴形成约45度的角度,从而改善透 射率。
然而,在滤色器基板的公共电极上形成狭长切口部时,线偏振mPVA模 式的液晶由杂散场控制。因此,线偏振mPVA模式是不利的,会降低透射率。
为了解决这些问题,可以采用微狭长切口模式,在该微狭长切口模式中 狭长切口形成在阵列基板的像素电极上,而不是形成在公共电极上。然而, 微狭长切口模式具有不利之处:难以控制形成在像素电极上的微狭长切口边 缘处或者微狭长切口之间的液晶,因此而会使LCD装置的显示质量退化。
发明内容
本发明提供一种改善显示质量的阵列基板。
本发明还提供制造上述阵列基板的方法。
本发明还提供具有上述阵列基板的液晶显示(LCD)装置。
本发明的其它特征将在下面的描述中阐述且在下面的描述中部分显见, 或者可以通过实践本发明而知悉。
本发明揭示了一种包括基板、像素电极和屏蔽电极的阵列基板。基板包 括彼此交叉且彼此绝缘的栅极线和数据线,以及连接到布置在其上的栅极线 和数据线的开关元件。像素电极包括轮廓部、多个连接部和多个狭长切口部。 轮廓部沿着数据线和栅极线设置在基板上。连接部在与数据线交叉的方向及 与栅极线交叉的方向上延伸,并且连接到轮廓部。连接部将轮廓部限定的像 素区域分成多个域。狭长切口部从每个域中的连接部的侧表面突出,并且狭 长切口部连接到轮廓部。屏蔽电极分别在数据线上沿着轮廓部及在栅极线上 沿着轮廓部设置,以屏蔽数据线和栅极线。屏蔽电极设置在数据线和轮廓部 之间。
本发明揭示了一种制造阵列基板的方法,包括在基板上形成开关元件、 像素电极和屏蔽电极。开关元件连接到栅极线和数据线。像素电极包括沿着 数据线和栅极线形成在基板上的轮廓部、将由轮廓部限定的像素区域分成多 个域的多个连接部。连接部在与数据线交叉的方向和与栅极线交叉的方向上 延伸,并且连接到轮廓部,从每个域中的连接部的侧表面突出多个狭长切口 部,其中狭长切口部连接到轮廓部。屏蔽电极分别在数据线上沿着轮廓部及 在栅极线上沿着轮廓部形成,以屏蔽数据线和栅极线,并且屏蔽电极设置在 数据线和轮廓部之间。
本发明揭示了一种LCD装置,包括第一基板、第二基板和液晶层。第 一基板包括上基板和公共电极。第二基板包括下基板、像素电极和屏蔽电极。 下基板具有连接到设置在其上的栅极线和数据线的开关元件。像素电极包括 轮廓部、连接部和狭长切口部。轮廓部沿着数据线和栅极线设置。连接部分 别在与数据线和栅极线交叉的方向上延伸,以连接到轮廓部。狭长切口部从 连接部的侧表面突出以连接到轮廓部。屏蔽电极分别在数据线上沿着轮廓部 及在栅极线上沿着轮廓部设置,以屏蔽数据线和栅极线,并且设置在数据线 和轮廓部之间。液晶层设置在像素电极和公共电极之间。
应当理解的是,前面的总体描述和下面的详细描述都是示范性和说明性 的,并且旨在对如权利要求所述的本发明提供进一步的说明。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解,这些附图被并入、并构成本说 明书的一部分,其图解了本发明的实施例,并与描述一起用于说明本发明的 原理。
图1是示出根据本发明示范性实施例的液晶显示(LCD)装置的平面图;
图2是示出图1所示的像素区域的示例的放大平面图;
图3是沿图2中的I-I’线剖取的截面图;
图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H和图4I是 示出制造图1、图2和图3所示阵列基板的工艺的截面图;
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