[发明专利]半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法有效
| 申请号： | 200910161413.7 | 申请日： | 2003-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101615592A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 丸山纯矢;高山彻;大野由美子;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;李家麟 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 以及 转移 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包含以下步骤：
在衬底上形成包含钨的膜；
在所述包含钨的膜上形成包含半导体元件与氧化物膜的层离层，因而形成插入在所述氧化物膜与所述包含钨的膜之间的包含钨氧化物的氧化物层；
执行热处理，因而改变所述氧化物层中所述钨氧化物的成分；以及
将所述层离层与所述包含钨的膜分离，
其中，所述半导体元件提供在所述氧化物膜上，以及
其中，所述分离出现在所述氧化物层中或在所述氧化物层与所述包含钨的膜之间的界面处。
2.一种制造半导体器件的方法，包含以下步骤：
在衬底上形成包含钨的膜；
在所述包含钨的膜上形成包含半导体元件与氧化物膜的层离层，因而形成插入在所述氧化物膜与所述包含钨的膜之间的包含WO2与WO3的氧化物层；
执行热处理，因而改变所述氧化物层中所述WO2与WO3的成分比；以及
将所述层离层与所述包含钨的膜分离，
其中，所述半导体元件提供在所述氧化物膜上，以及
其中，所述分离出现在所述氧化物层中或在所述氧化物层与所述包含钨的膜之间的界面处。
3.一种制造半导体器件的方法，包含以下步骤：
在衬底上形成包含钨的膜；
在所述包含钨的膜上形成包含半导体元件与氧化物膜的层离层，因而形成插入在所述氧化物膜与所述包含钨的膜之间的包含WO2与WO3的氧化物层；
执行热处理，因而在所述氧化物层中将WO3的一部分变为WO2；以及
将所述层离层与所述包含钨的膜分离，
其中，所述半导体元件提供在所述氧化物膜上，以及
其中，所述分离出现在所述氧化物层中或在所述氧化物层与所述包含钨的膜之间的界面处。
4.一种制造半导体器件的方法，包含以下步骤：
在衬底上形成包含钨的膜；
在所述包含钨的膜上形成包含半导体元件与氧化物膜的层离层，因而形成插入在所述氧化物膜与所述包含钨的膜之间的包含WO2与WO3的氧化物层；
执行热处理，因而改变所述氧化物层中所述WO2与WO3的成分比；以及
将所述层离层与所述包含钨的膜分离，
其中，所述半导体元件提供在所述氧化物膜上，以及
其中，所述分离出现在所述氧化物层中WO2与WO3之间的界面处。
5.一种制造半导体器件的方法，包含以下步骤：
在衬底上形成包含钨的膜；
在所述包含钨的膜上形成包含半导体元件与氧化物膜的层离层，因而形成插入在所述氧化物膜与所述包含钨的膜之间的包含WO2与WO3的氧化物层；
执行热处理，因而在所述氧化物层中将WO3的一部分变为WO2；以及
将所述层离层与所述包含钨的膜分离，
其中，所述半导体元件提供在所述氧化物膜上，以及
其中，所述分离出现在所述氧化物层中WO2与WO3之间的界面处。
6.如权利要求1-5中任一项所述的制造半导体器件的方法，其中，所述热处理至少在430℃进行。
7.如权利要求1-5中任一项所述的制造半导体器件的方法，其中，所述氧化物膜用溅射方法形成。
8.如权利要求1-5中任一项所述的制造半导体器件的方法，其中，所述包含钨的膜的膜厚为10nm-200nm。
9.如权利要求1-5中任一项所述的制造半导体器件的方法，其中，所述氧化物层的膜厚为0.1nm-5nm。
10.如权利要求1-5中任一项所述的制造半导体器件的方法，其中，所述半导体元件包含Si。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
