[发明专利]半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包含以下步骤：

在第一衬底上形成包含金属的膜；

形成包括氧化物膜与含有半导体膜的TFT的层离层；

在所述包含金属的膜上形成包含所述金属的氧化物层，其中，所述包含金属的膜与所述氧化物层的底侧接触形成；

执行热处理，以便晶化所述氧化物层；以及

将所述层离层与所述包含金属的膜分离，

其中，所述分离出现在所述氧化物层中或在所述氧化物层与同所述氧化物层接触的所述包含金属的膜之间的界面处，以及

其中所述金属选自W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os和Ir构成的组中。

2.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

在执行所述热处理之后且在将所述层离层与所述包含金属的膜分离之前，将第二衬底粘贴到所述层离层；

将所述层离层与所述第一衬底分离；

将第三衬底粘贴到所述层离层的底侧；以及

将所述第二衬底与所述层离层分离。

3.一种制造半导体器件的方法，包含以下步骤：

在第一衬底上形成包含W的膜；

形成包括氧化物膜与含有半导体膜的TFT的层离层；以及

将所述包含W的膜与所述氧化物膜分离，

其中，在形成所述氧化物膜时，包含W的氧化物层与所述包含W的膜接触形成，

其中，所述氧化物层包括WO₂与WO₃，

其中，用热处理晶化所述氧化物层，以及

其中，所述分离出现在所述氧化物层的层中或在所述氧化物层与同所述氧化物层接触的所述包含W的膜之间的界面处。

4.如权利要求1或3所述的制造半导体器件的方法，其中，所述热处理至少在430℃进行。

5.如权利要求3所述的制造半导体器件的方法，进一步包括以下步骤：

在执行所述热处理之后且在将所述层离层与所述包含W的膜分离之前，将第二衬底粘贴到所述层离层；

将所述层离层与所述第一衬底分离；

将第三衬底粘贴到所述层离层的底侧；以及

将所述第二衬底与所述层离层分离。

6.如权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

其中，在所述分离之后，在所述衬底侧的所述氧化物层上WO₃多于WO₂，以及

其中，在所述分离之后，在所述层离层侧的所述氧化物层上WO₃多于WO₂。

7.一种制造光电变换器的方法，包含以下步骤：

在第一衬底上形成包含金属的膜；

形成包括氧化物膜与包含Si的PIN结的光电变换器的层离层；

在所述包含金属的膜上形成包含所述金属的氧化物层，其中，所述包含金属的膜与所述氧化物层的底侧接触形成；

执行热处理，以便晶化所述氧化物层；以及

将所述层离层与所述包含金属的膜分离，

其中，所述分离出现在所述氧化物层中或在所述氧化物层与同所述氧化物层接触的所述包含金属的膜之间的界面处，以及

其中所述金属选自W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os和Ir构成的组中。

8.如权利要求7所述的制造光电变换器的方法，还包括以下步骤：

在执行所述热处理之后且在将所述层离层与所述包含金属的膜分离之前，将第二衬底粘贴到所述层离层；

将所述层离层与所述第一衬底分离；

将第三衬底粘贴到所述层离层的底侧；以及

将所述第二衬底与所述层离层分离。