[发明专利]显示装置的修正方法及其装置有效
申请号: | 200910161644.8 | 申请日: | 2009-07-24 |
公开(公告)号: | CN101667527A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 新井武;中须信昭;枝村理夫;大录范行 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/04;C23C16/50;H01J37/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 修正 方法 及其 装置 | ||
(本申请要求于2008年9月5日提交的日本专利申请 JP2008-227750和于2008年9月26日提交的日本专利申请 JP2008-247112的优先权,其全部内容通过参考在此引入。)
技术领域
本发明涉及显示装置的修正方法及其装置,涉及通过使用在大气 压下生成的等离子体喷流(plasma jet)对显示装置的衬底上的电子电 路图案的短路位置和开路位置进行修正而恢复正常的技术。
另外,本发明还涉及局部地形成膜或表面处理的制造方法及其制 造装置,尤其涉及使气体流入反应室而局部地形成膜或表面处理的技 术。
背景技术
例如,液晶显示装置是在一对衬底之间夹有液晶的结构,在一个 衬底(有时称为滤色片衬底)上交互涂敷蓝、绿、红色树脂而形成滤 色片,在另一个衬底(有时称为TFT衬底)上形成包含薄膜晶体管 (TFT)的电子电路图案。
如果在滤色片和布线中产生图案缺陷,则液晶显示装置显示异 常,成为不合格品。显示异常有例如,因在滤色片上涂敷的树脂挤出 到相邻像素而产生的颜色不好、因树脂膜厚和TFT衬底不均匀而产生 的颜色不均、布线间的短路和断线等。
作为检测这些图案缺陷的方法,可以使用通过用外观检查装置对 电路图案进行拍摄并进行图像处理而使缺陷明显化的一般的图案检查 装置。
作为滤色片的颜色挤出和TFT衬底的布线短路的修正方法,像 例如日本专利申请特开平9-307217号公报(参考文献1)中公开的那 样,通过向短路位置照射激光而除去该短路位置的修正方法是一般的。
作为在图案缺陷位置形成布线材料的方法,有像例如特开平 8-66652号公报(参考文献2)中公开的那样,用前端直径被拉细了的 中空吸液管涂敷上述布线材料的方法。另外,在例如特公平7-484967 号公报(参考文献3)、特开平11-61413号公报(参考文献4)中公 开了称为激光CVD法的、通过向电路衬底上的所希望区域供给作为 金属布线的原料的气体,并向该处照射激光而把原料气体分解,析出 金属薄膜的方法。
液晶显示元件是在在玻璃衬底上形成了电路的TFT衬底与滤色 片衬底之间夹着液晶的结构。如果在电路和滤色片中产生缺陷,则液 晶显示元件显示异常,成为不合格品。由于在制造工序中使用的玻璃 衬底逐年大型化,仅仅通过改善工艺很难制造无缺陷的液晶显示元件, 所以必须有修正缺陷部的技术。
作为现有电路开路缺陷的修正方法,已知有使用激光CVD装置 和微等离子体产生装置等在衬底上的缺陷部上局部地形成金属膜或绝 缘膜的修正方法。激光CVD装置是在原料气体气氛下向衬底照射激 光束,促进照射部分的原料气体的反应而形成膜的装置。另外,微等 离子体产生装置是向反应室内导入原料气体而产生微等离子体,用等 离子体促进原料气体反应而形成膜的装置。在两种装置中都必须有回 收原料气体以防止它向周围泄漏的技术。如果外部大气混入原料气体, 则导致膜质量的劣化,所以必须有防止外部大气流入反应室的技术。
由于玻璃衬底的大型化,衬底尺寸达到了一边长度超过2m。因 此如果用反应腔室包围整个衬底则导致装置巨大化,存在不仅在反应 腔室内更换氩气等的惰性气体需要很多时间,而且惰性气体的成本也 增大的问题。于是,在用激光CVD装置和微等离子体产生装置局部 地形成膜时,像特表平1-502149号公报(参考文献5)那样,提出了 安装局部吸排气机构而形成膜的方法。如果使用局部吸排气机构,则 可以仅仅使反应区域被反应室覆盖且处于惰性气氛中,所以无需巨大 的反应腔室,且能够缩短惰性气体的更换时间。
局部吸排气机构是多个壳相重叠那样的结构,最内侧的壳是导入 原料气体和等离子体产生用气体而进行膜形成或表面处理的反应室, 在其外侧的壳内吸收从反应室漏出的气体。这些壳的一方是开放的, 该被开放的面与进行膜形成或表面处理的衬底隔开一定间隙地设置。 由于必须使向反应室供给的原料气体和等离子体产生用气体的浓度和 压力保持恒定,所以一直向反应室供给新的气体并更换反应完的气体。 因此,使排气流量稳定从而使反应完成的气体被快速排出是很重要的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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