[发明专利]辅助振动阻尼型晶体振荡器电路

权利要求书

1.一种辅助振动阻尼型晶体振荡器电路，包括：

包括起电感器元件作用的晶体单元、以及第一和第二电容器的振荡谐振电路；以及

通过所述振荡谐振电路使振荡频率反馈放大的振荡晶体管，

其中所述辅助振动阻尼型晶体振荡器电路形成为柯匹兹型振荡器电路，其中所述晶体单元连接在所述振荡晶体管的基极端子和集电极端子之间，所述第一电容器连接在所述振荡晶体管的发射极端子和和集电极端子之间，而所述第二电容器连接在所述振荡晶体管的发射极端子和基极端子之间，

其中所述辅助振动阻尼型晶体振荡器电路构造成将在该晶体单元的主振动模式中的振动频率设置为振荡频率，并且衰减在接近该主振动模式的辅助振动模式中的振动频率上的振荡，

其中所述振荡晶体管的所述发射极端子和所述集电极端子之间的区域，或所述发射极端子和所述基极端子之间的区域包括电抗并联电路，其中包括电感器和电容器的LC串联电路以并联方式连接于所述第一或第二电容器，

其中所述电抗并联电路具有在所述主振动模式中的振荡频率上使所述电抗并联电路变成电容性的谐振特性，并且所述LC串联电路的谐振频率对应于所述辅助振动模式中的所述振动频率。

2.根据权利要求1所述的辅助振动阻尼型晶体振荡器电路，

其中所述LC串联电路的所述谐振频率高于所述电抗并联电路的谐振频率。

3.根据权利要求1所述的辅助振动阻尼型晶体振荡器电路，

其中所述晶体单元形成为SC切割晶体元件，

其中所述主振动模式是C模式，而所述辅助振动模式是B模式，并且

其中所述B模式接近所述C模式的较高频侧，以产生振荡。