[发明专利]有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管，其包括：

有机绝缘层；

通过使用镀膜技术在所述有机绝缘层上沉积的第一层，所述第一层 用于形成源极电极和漏极电极；

也通过使用镀膜技术而沉积的覆盖所述第一层且由金属材料构成的 第二层，所述第二层用于形成所述源极电极和所述漏极电极，所述第二 层的金属材料与所述第一层相比能够与有机半导体材料形成更低的欧姆 接触；以及

由所述有机半导体材料构成的有机半导体层，所述有机半导体层被 形成在各自都用所述第一层和所述第二层形成的所述源极电极与所述漏 极电极之间的区域上方。

2.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其中，

用于形成所述第一层的金属材料是镍和铜中的至少一种；并且

用于形成所述第二层的所述金属材料是金、铂和钯中的至少一种。

3.如权利要求1或2所述的有机薄膜晶体管，其中，所述第二层被 形成为覆盖着沉积在所述有机绝缘层上的所述第一层的整个露出表面。

4.如权利要求1或2所述的有机薄膜晶体管，还包括隔着栅极绝缘 膜沉积在所述有机半导体层上的栅极电极。

5.如权利要求3所述的有机薄膜晶体管，还包括隔着栅极绝缘膜沉 积在所述有机半导体层上的栅极电极。

6.如权利要求1或2所述的有机薄膜晶体管，其中，

所述有机绝缘层用作栅极绝缘膜，并且

在所述栅极绝缘膜下面布置有栅极电极。

7.如权利要求3所述的有机薄膜晶体管，其中，

所述有机绝缘层用作栅极绝缘膜，并且

在所述栅极绝缘膜下面布置有栅极电极。

8.一种有机薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括以下步骤：

利用化学镀方法在有机绝缘层上沉积金属材料膜；

通过图形化所述金属材料膜在所述有机绝缘层上形成第一层，所述 第一层用于形成源极电极和漏极电极；

也使用镀膜技术在所述第一层的露出表面上沉积由金属材料构成的 第二层，所述第二层用于形成所述源极电极及所述漏极电极，所述第二 层的金属材料与所述第一层相比能够与有机半导体材料形成更低的欧姆 接触，并且使用所述第一层和所述第二层来形成所述源极电极及所述漏 极电极；以及

在所述源极电极与漏极电极之间的区域上方形成有机半导体层。

9.如权利要求8所述的有机薄膜晶体管的制造方法，其中，

用于形成所述第一层的金属材料是镍和铜中的至少一种，并且

用于形成所述第二层的所述金属材料是金、铂和钯中的至少一种。

10.如权利要求8或9所述的有机薄膜晶体管的制造方法，其中，

在也使用镀膜技术在所述第一层的露出表面上沉积由金属材料构成的所 述第二层的步骤中，所述第二层是通过使用置换镀方法和化学镀方法之 一而形成的，所述置换镀方法用于置换所述第一层的露出表面。

11.一种电子装置，所述电子装置包括有机薄膜晶体管，所述有机 薄膜晶体管包括：

a)有机绝缘层；

b)通过使用镀膜技术在所述有机绝缘层上沉积的第一层，所述第一 层用于形成源极电极和漏极电极；

c)也通过使用镀膜技术而沉积的覆盖所述第一层且由金属材料构 成的第二层，所述第二层用于形成所述源极电极和所述漏极电极，所述 第二层的金属材料与所述第一层相比能够与有机半导体材料形成更低的 欧姆接触；以及

d)由所述有机半导体材料构成的有机半导体层，所述有机半导体层 被形成在各自都用所述第一层和所述第二层形成的所述源极电极与所述 漏极电极之间的区域上方。

12.如权利要求11的所述电子装置，还包括与所述源极电极和所述 漏极电极形成在同一层上的多条布线，所述布线具有与所述源极电极和 所述漏极电极相同的层结构。