[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

提供一基底；

于所述的基底上形成一导电层；

于所述的导电层上形成一第一图案化掩模层；

移除所述的第一图案化掩模层露出的所述的导电层，使该导电层的一第一侧边露出；

以所述的第一图案化掩模层作为屏蔽进行掺杂步骤，以于所述的基底中形成一掺杂区；

移除所述的第一图案化掩模层；

于所述的导电层上形成一第二图案化掩模层；

移除所述的第二图案化掩模层露出的所述的导电层，使该导电层相对于所述的第一侧边的一第二侧边露出；以及

移除所述的第二图案化掩模层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的掺杂步骤包括一垂直掺杂步骤及斜角掺杂步骤。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的掺杂区延伸至邻接所述的第一侧边的所述的导电层的下方。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的第二图案化掩模层延伸至所述的掺杂区上。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该方法还包括：

于所述的基底中形成多个隔离结构。

6.如权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的第二图案化掩模层的两相对侧边位于所述的些隔离结构上。

7.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的第二图案化掩模层延伸至所述的掺杂区上。

8.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

提供一基底；

于所述的基底上形成一导电层；

于所述的基底上形成一第一图案化掩模层；

移除所述的第一图案化掩模层露出的所述的导电层，使该导电层的一第一侧边露出；

以所述的第一图案化掩模层作为屏蔽进行垂直掺杂步骤及斜角掺杂步骤，以于所述的基底中形成一掺杂区，该掺杂区延伸至邻接所述的第一侧边的导电层的下方；

移除所述的第一图案化掩模层；

于所述的导电层上形成一第二图案化掩模层；

移除所述的第二图案化掩模层露出的所述的导电层，使该导电层相对于所述的第一侧边的一第二侧边露出；以及

移除所述的第二图案化掩模层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的第二图案化掩模层延伸至所述的掺杂区上。

10.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该方法还包括：

于所述的基底中形成多个隔离结构。

11.如权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的第二图案化掩模层的两相对侧边位于所述的些隔离结构上。

12.如权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的第二图案化掩模层延伸至所述的掺杂区上。