[发明专利]具有降压、升压和部分四开关模式的平均电流模式控制的转换器有效
申请号: | 200910161783.0 | 申请日: | 2009-08-21 |
公开(公告)号: | CN101771344A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 麦特·葛镶 | 申请(专利权)人: | 技领半导体(上海)有限公司;技领半导体股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 刘云贵 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 降压 升压 部分 开关 模式 平均 电流 控制 转换器 | ||
技术领域
本发明涉及电源转换领域,尤指一种可根据输出电压VOUT与输入电压VIN 之差而以降压模式、四开关模式和升压模式工作的转换器。
背景技术
DC-DC开关模式电源可采用包含电感和四个开关的电路。这些开关中的第 一个开关(S1)耦接在大致直流电压VIN的源端与电感的第一端子之间。这些 开关中的第二个开关(S2)耦接在电感的第一端子与接地节点之间。这些开关 中的第三个开关(S3)耦接在电感的第二端子与接地节点之间。这些开关中的 第四个开关(S4)耦接在电感的第二端子与负载之间。如果使这些开关以第一 方式进行开关,则所述电源用作“降压转换器”:其将较高的输入电压VIN转换 成较低的DC输出电压VOUT后提供至负载。如果使这些开关以第二方式进行开 关,则所述电源用作“升压转换器”:其将较低的输入电压VIN转换成负载上的 较高的DC输出电压VOUT。
在某些应用中,适用的作法是对所述电路的开关进行开关操作,使所述电 路在某些时候用作降压转换器、而在其它时候用作升压转换器。例如,考虑其 中利用电池为电路提供固定DC电源电压的应用。当电池充满电时,来自电池的 DC电压高于电路所需要的DC电压。因此,所述中间电源用作降压转换器,接 收较高的输入电池电压并输出电路所需的较低DC电压。然而,当电池放电时, 电池输出的DC电压降低。在某一点上,电池输出的DC电压低于电路所需要的 DC电压。因此,使所述中间电源用作升压转换器。该升压转换器从电池接收较 低的DC电压,并向电路输出较高的所需DC电压。该中间电源可称为“降压- 升压”转换器。存在许多种已知的降压-升压转换器拓扑结构。
图1是现有技术中可从位于得克萨斯州达拉斯的得克萨斯仪器有限公司 (Texas Instruments Incorporated)得到的TPS63011平均电流模式DC-DC 转换器的功能方块图。在降压模式中,四个开关的其中一个是活动的,另一个 开关正用作整流器,再一个开关一直接通,最后一个开关则一直断开。在升压 模式中,其中一个开关活动,一个开关正用作整流器,一个开关一直接通,另 一个开关则一直断开。不存在所有四个开关均在进行开关操作的工作模式。所 述转换器根据需要自动地从降压操作切换到升压操作。通过以这种方式控制四 个开关,使转换器能够维持高的效率,包括在输入电压VIN接近输出电压VOUT 的时间期间。
图2是现有技术中可从位于加利福尼亚州密尔必达(Milpitas, California)的凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)得到的 LTC3440降压-升压DC/DC转换器的功能方块图。如果VIN接近于VOUT,则该转 换器在四开关降压/升压工作区域中工作。在这种模式中,开关SWA的占空比不 等于开关SWC的占空比。存在其中SWB和SWC二者断开、SWA和SWD二者接通 的时间量。如在第6,166,527号美国专利中所公开的,利用电压模式控制来调 节开关的占空比,以将VOUT维持在所期望的调节电压。如果输入电压VIN大于 输出电压VOUT,则SWD一直接通,并且SWC一直断开,从而使转换器用作降压 转换器。而如果VIN低于VOUT,则SWA一直接通并且SWB一直断开,从而使转 换器用作升压转换器。
尽管图1和图2的电路在许多应用中能令人满意地工作,但仍需要作出改 进。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种具有降压、升压和部分四开关模式 的平均电流模式控制转换器,可以根据转换器输入电压与输出电压的差值有效 实现使转换器工作于降压、升压和部分四开关的不同工作模式,从而提高转换 器效率并增加其应用范围。
为了解决以上技术问题,本发明提供了如下技术方案:
首先,本发明提供了一种平均电流模式控制的DC-DC转换器,具有纯粹降 压模式、部分四开关模式、和纯粹升压模式。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于技领半导体(上海)有限公司;技领半导体股份有限公司,未经技领半导体(上海)有限公司;技领半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910161783.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。