[发明专利]同轴线低通滤波器及其幅频特性改善的方法

权利要求书

1.一种同轴线低通滤波器，其特征在于，该同轴线低通滤波器的至少 两低阻抗线段相互靠近至预定距离，包括：

耦合模块，设置在相互靠近至预定距离的所述两低阻抗线段之间，在所 述两低阻抗线段之间产生耦合电容，该耦合电容与所述两低阻抗线段之间的 高阻抗线段等效的电感构成谐振回路；

所述谐振回路的谐振频率高于该低通滤波器的低通截止频率。

2.如权利要求1所述的同轴线低通滤波器，其特征在于，

所述耦合模块为金属块，所述低通滤波器被折弯放置在一槽中，所述槽 中间位置设置有一隔筋，所述两低阻抗线段位于所述隔筋两侧；

所述耦合模块放置在所述隔筋的缺口中并固定。

3.如权利要求1所述的同轴线低通滤波器，其特征在于，

所述耦合模块为微带或带状金属线，所述低通滤波器被折弯放置在一方 形槽中并固定，所述槽中间位置设置有一隔筋，所述两低阻抗线段位于所述 隔筋两侧；

所述微带或带状金属线与所述两低阻抗线段连接。

4.如权利要求2或3中任一项所述的同轴线低通滤波器，其特征在于，

所述槽采用金属材料制成；

所述槽上方设置有金属盖，与所述槽形成密闭空间，所述构成谐振回路 的耦合模块、所述两低阻抗线段及所述两低阻抗线段之间的线段置于所述密 闭空间。

5.一种改善同轴线低通滤波器幅频特性的方法，其特征在于，包括：

在同轴线低通滤波器的两低阻抗线段产生耦合电容，该耦合电容与所述 两低阻抗线段之间的高阻抗线段等效的电感构成谐振回路；

调整所述耦合电容的值，使得所述谐振回路的谐振频率高于该低通滤波 器的低通截止频率。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在同轴线低通滤波器 的两低阻抗线段产生耦合电容，包括：

将所述同轴线低通滤波器折弯，使得所述两低阻抗线段靠近至预定距 离；

在所述两低阻抗线段之间设置耦合模块，所述耦合模块在所述两低阻抗 线段之间产生耦合电容。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将所述低通滤波器折 弯，使得两低阻抗线段靠近，包括：

将所述低通滤波器折弯放置在一槽中并固定，该槽中间位置设置有一隔 筋，所述两低阻抗线段位于所述隔筋两侧；

所述耦合模块为金属块，在所述两低阻抗线段之间设置耦合模块，包括：

在所述隔筋上开一缺口，该缺口用于放置所述金属块；

将所述金属块固定在所述隔筋上的缺口中。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述耦合模块为微带或带 状金属线，所述在同轴线低通滤波器的两低阻抗线段产生耦合电容，包括：

将所述低通滤波器折弯，使得两低阻抗线段靠近至预定距离；

采用微带或带状金属线连接所述两低阻抗线段。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述将所述低通滤波器折 弯，使得两低阻抗线段靠近至预定距离，包括：

将低通滤波器折弯放置在一槽中并固定，该槽中间位置设置有一隔筋， 所述两低阻抗线段位于所述隔筋两侧。

10.如权利要求7或9所述的方法，其特征在于，

所述槽采用金属材料制成；

在所述槽上方设置金属盖，与所述槽形成密闭空间，所述耦合模块、所 述两低阻抗线段及所述两低阻抗线段之间的线段置于所述密闭空间。