[发明专利]纳米图形化中凸起效应的去除

说明书

技术领域

所述技术主要涉及纳米结构，更具体地涉及不具有凸起的纳米结构，并涉及去除纳米图形化过程中产生的凸起的技术。 

背景技术

随着近来器件小型化的趋势，人们对于有关纳米结构和纳米器件的制造进行了大量研究。用于形成精细图形的典型方法包括光刻法和电子束曝光法。虽然电子束曝光法适于生产精细图形而无需使用图形掩模，但是此方法非常昂贵且复杂。此外，由于装置本身的束斑尺寸是固定的(通常大约100nm)，因此在形成数纳米至数十纳米级的线宽方面存在限制。 

这些方法的一个可能的替代方法是AFM压痕法，根据该方法，可以通过向AFM针尖施加力，利用简单的方法在特定位置形成数十纳米以下级的线宽。作为应用此技术的一个实例，K.Wiesauer和G.Springholz在J.Appl.Phys.，88，7289(2000)中披露了一种通过在沉积于半导体基体上的光致抗蚀剂层上进行压痕，并使用光致抗蚀剂图案作为掩模进行反应性离子刻蚀而形成半导体纳米结构的方法。此外，Carrey等在Appl.Phys.Lett.，81，760(2002)中披露了一种通过下述方法形成纳米接触的技术：进行纳米压痕从而在沉积于各种类型的电导体上的绝缘光致抗蚀剂层中形成孔，并使用金属填充该孔。然而，当在诸如光致抗蚀剂层等聚合物层上进行AFM压痕时，在形成孔的同时也会在孔的周围形成凸起。 

发明内容

在一个实施方式中，提供了制造纳米结构以产生不具有凸起的纳米图形的方法。所述方法包括在聚合物表面上形成纳米图形，使具有纳米图形的聚合物表面与预定溶剂进行接触，并对于与溶剂接触的聚合物的 表面施加外部刺激以去除纳米图形形成过程中在纳米图形周围形成的凸起。 

在另一实施方式中，提供了在纳米图形周围不具有凸起的纳米结构。所述纳米结构包含基体和在所述基体上形成的具有纳米图形的聚合物层，其中通过施用预定溶剂和施加外部刺激而去除了纳米图形周围的凸起。 

提供本“发明内容”是为了以简化的方式介绍概念的选择，在下面的“具体实施方式”中还会对它们进行进一步描述。本“发明内容”既非旨在确定要求保护的主题的关键特征或基本特征，也非旨在用作确定要求保护的主题的范围的辅助内容。 

附图说明

通过参考附图详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的上述特征和其它特征以及优点对于本领域技术人员而言将更为显而易见，附图中： 

图1是说明根据一个实施方式的制造纳米结构的方法的流程图； 

图2是示意性说明根据一个实施方式的制造纳米结构的方法的截面图； 

图3显示了在涂布有聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的硅基体上进行纳米压痕时的表面原子力显微镜(AFM)图像； 

图4是示意性说明去除纳米图形周围的凸起之前和之后的纳米图形的截面图； 

图5说明了制造纳米结构的工序，其中在凸起被去除的位置处另外形成了纳米图形； 

图6显示了在根据溶剂组成施加直流(DC)偏压之前和之后的表面AFM图像； 

图7显示了代表施加DC偏压时对应于各种溶剂组成的孔和凸起的结构的表面AFM图像和截面AFM图像； 

图8是说明施加DC偏压时对应于各种溶剂组成的凸起高度变化的图； 

图9是说明对应于DC偏压变化的凸起高度变化的图； 

图10显示了代表对应于DC偏压变化的凸起和孔的结构的表面AFM图像和截面AFM图像； 

图11显示了在根据溶剂组成进行超声处理之前和之后的表面AFM 图像；和 

图12显示了对于利用纳米压痕图形化为线形的PMMA表面进行超声处理的表面处理之前和之后的AFM图像。 

具体实施方式

容易理解，可以以大量不同的构造来设置和设计如此处附图中所主要描述和说明的本发明的要素。因此，下述对根据如附图所代表的本发明的装置和方法的实施方式所进行的更加详细的描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而仅代表本发明的实施方式的某些实例。通过参考附图(在所有附图中同样的部分以同样的数字标注)可以更好地理解文中所述的实施方式。此外，附图并非按比例绘制，层与区域的尺寸和相对尺寸可能出于清晰的目的而被夸大。