[发明专利]集成电容无效
申请号: | 200910162083.3 | 申请日: | 2009-08-11 |
公开(公告)号: | CN101661932A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 郑道;陈文淋 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/92;H01L23/528 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 葛 强;张一军 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 电容 | ||
1.一种集成电容,包含:
第一梳形金属结构;
第二梳形金属结构,与上述第一梳形金属结构交错;以及
曲形金属结构,设置于上述第一梳形金属结构与上述第二梳形金属结构之间的空间内。
2.如权利要求1所述的集成电容,其特征在于,介电层位于上述第一梳形金属结构,上述第二梳形金属结构,以及上述曲形金属结构之间。
3.如权利要求1所述的集成电容,其特征在于,上述第一梳形金属结构与上述第二梳形金属结构电耦接至第一极性,而上述曲形金属结构电耦接至与上述第一极性相反的第二极性。
4.如权利要求1所述的集成电容,其特征在于,上述第一梳形金属结构与上述第二梳形金属结构,以及上述曲形金属结构是同一金属互连层的金属线。
5.如权利要求1所述的集成电容,其特征在于,上述第一梳形金属结构、上述第二梳形金属结构以及上述曲形金属结构是由堆叠金属线与过孔形成的金属板。
6.一种集成电容,包含:
栅栏形的外金属结构,包围内金属结构以及介电层,上述介电层位于上述外金属结构与上述内金属结构之间。
7.如权利要求6所述的集成电容,其特征在于,栅栏形的上述外金属结构包含矩形金属框以及于上述矩形金属框内突出的多个指形电极,其中上述内金属结构具有轨道形结构,其包含垂直金属线及多个水平金属线。
8.如权利要求7所述的集成电容,其特征在于,上述垂直金属线与上述多个水平金属线互连。
9.如权利要求7所述的集成电容,其特征在于,上述多个水平金属线与栅栏形的上述外金属结构的上述多个指形电极相互交错。
10.如权利要求6所述的集成电容,其特征在于,上述外金属结构与上述内金属结构耦接至相反极性。
11.如权利要求6所述的集成电容,其特征在于,上述外金属结构与上述内金属结构是同一金属互连层的金属线。
12.如权利要求6所述的集成电容,其特征在于,上述外金属结构与上述内金属结构是由堆叠金属线与过孔形成的金属板。
13.一种集成电容,包含:
第一对钥匙形金属结构与第二对钥匙形金属结构,其中上述第一对钥匙形金属结构与上述第二对钥匙形金属结构相互啮合;以及
介电层,位于上述第一对钥匙形金属结构与上述第二对钥匙形金属结构之间。
14.如权利要求13所述的集成电容,其特征在于,上述第一对钥匙形金属结构耦接至第一极性,而上述第二对钥匙形金属结构耦接至与上述第一极性相反的第二极性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的