[发明专利]半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一发光芯片，该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；

设置在所述第一发光芯片上的第二发光芯片，该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；和

导电层，设置在所述第一半导体层和所述第四半导体层之间，所述第一半导体层和所述第四半导体层具有不同的导电类型。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述导电层上的第一电极、设置在所述第三半导体层上的第二电极和设置在所述第二半导体层上的第三电极。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二电极和所述第三电极电连接。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二半导体层设置在基板上。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述基板包括半导体材料和导电材料的至少一种。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电层是透明的。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电层是反射的。

8.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第三电极是反射的。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第三电极包括反射侧壁。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第三电极是平的。

11.如权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述第四半导体层和所述导电层之间的通路。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二发光芯片是竖直型发光芯片。

13.如权利要求1所述的半导体器件，还包括第三发光芯片，该第三发光芯片包括第五半导体层，所述第五半导体层设置在所述第三半导体层上，所述第五半导体层和所述第三半导体层具有不同的导电类型。

14.如权利要求1所述的半导体器件，还包括第三发光芯片，该第三发光芯片包括第五半导体层，所述第五半导体层设置在所述第三半导体层上，所述第五半导体层和所述第三半导体层具有相同的导电类型。

15.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一发光芯片和所述第二发光芯片被配置为交替地在交流电波形的各个交替的半周激励，从而发光。

16.如权利要求1所述的半导体器件，其中与所述第二发光芯片交叠的所述第一发光芯片的轮廓与所述第二发光芯片的轮廓基本相同。

17.一种半导体封装，包括：

设置在第一基板的第一表面上的第一导电垫和第二导电垫；

设置在所述第一基板的所述第一表面上的第一发光芯片，所述第一发光芯片具有第一半导体层、电连接到所述第二导电垫的第二半导体层以及设置在所述第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；

设置在所述第一发光芯片上的第二发光芯片，所述第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在所述第三半导体层和所述第四半导体层之间的第二有源层；

设置在所述第一半导体层和所述第四半导体层之间的导电层，所述第一半导体层和所述第四半导体层具有不同的导电类型；

第一导线，连接所述第一导电垫与设置在所述导电层上的第一电极；和

第二导线，连接所述第二导电垫与设置在所述第三半导体层上的第二电极。

18.如权利要求17所述的半导体封装，还包括设置在所述第二半导体层上的第三电极。

19.如权利要求17所述的半导体封装，其中所述第二半导体层设置在包括半导体材料的第二基板上。

20.如权利要求17所述的半导体封装，其中所述导电层是透明的。

21.如权利要求17所述的半导体封装，其中所述导电层是反射的。

22.如权利要求17所述的半导体封装，其中所述第二发光芯片是竖直型发光芯片。