[发明专利]玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法

权利要求书

1.一种玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，其特征在于，所述激光切割方法包括有如下步骤：

1)在所述玻璃钝化硅晶圆背面制作与所述玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽位置一一对应的定位切割道；

所述步骤1)包括有如下步骤：

a)双面光刻，其包括有对所述玻璃钝化硅晶圆进行双面氧化，根据所需芯片晶粒的尺寸规格选择不同图形的光刻板，以及涂光刻胶、烘干；所述光刻胶为负胶；

b)玻璃钝化硅晶圆双面预腐蚀，无光刻胶保护区域的氧化层被完全腐蚀干净；

c)玻璃钝化硅晶圆背面负胶保护；

d)化学镀镍或镀镍、金以形成玻璃钝化硅晶圆背面的定位切割道；

2)使用激光沿玻璃钝化硅晶圆背面的定位切割道进行切割；

3)分离芯片晶粒。

2.如权利要求1所述的玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，其特征在于，在所述步骤1)中的步骤c)与d)之间还包括有形成玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽的步骤。

3.如权利要求1所述的玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，其特征在于，所述玻璃钝化硅晶圆正面的光刻板的图形为网格状，所述玻璃钝化硅晶圆背面的光刻板的图形为方块状。

4.如权利要求1所述的玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，其特征在于，所述玻璃钝化硅晶圆正面的光刻板的图形为网格状，所述玻璃钝化硅晶圆背面的光刻板的图形为与所述玻璃钝化硅晶圆正面的光刻板的图形重合的网格状。

5.如权利要求3所述的玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，其特征在于，使用氢氟酸和纯水按8％至50％的体积比配成一次预腐蚀液，对已制作出光刻 图形的玻璃钝化硅晶圆进行一次预腐蚀。

6.如权利要求4所述的玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，其特征在于，使用氢氟酸和纯水按8％至50％的体积比配成一次预腐蚀液，对已制作出光刻图形的所述玻璃钝化硅晶圆进行一次预腐蚀，再将所述玻璃钝化硅晶圆在以硝酸、氢氟酸为主，配以乙酸或冰醋酸稀释的二次预腐蚀酸中进行二次预腐蚀。

7.如权利要求2所述的玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，其特征在于，在所述步骤c)中，采用负胶并通过旋转补胶方式对预腐蚀后的所述玻璃钝化硅晶圆背面进行补胶，以在所述形成玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽的步骤中，避免所述玻璃钝化硅晶圆背面被过度腐蚀。

8.如权利要求1所述的玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，其特征在于，在所述使用激光沿玻璃钝化硅晶圆背面的定位切割道进行切割步骤中，通过显微放大镜头和摄像机，依据所述玻璃钝化硅晶圆背面的定位切割道，对所述玻璃钝化硅晶圆进行定位，通过对激光的扩束、聚焦后对所述玻璃钝化硅晶圆背面进行切割，使用半切穿方式形成激光切割槽；在所述分离芯片晶粒步骤中，使用机械裂片的方式，使所述半切穿方式的玻璃钝化硅晶圆分离成单一的芯片晶粒。