[发明专利]用于低温离子注入的方法和系统有效
| 申请号： | 200910162396.9 | 申请日： | 2009-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101781797A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 张钧琳;魏正泉;吴欣贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/22 | 分类号： | C30B31/22;H01L21/265;H01L21/425 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 马佑平;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 低温 离子 注入 方法 系统 | ||
1.一种用于低温离子注入的方法，包括以下步骤：
(a)在工艺室之外将第一半导体晶片从15℃或以上的温度预冷却到 5℃以下的温度；
(b)在步骤(a)之后将所述预冷却的第一晶片置于所述工艺室之内； 以及
(c)在步骤(b)之后在所述第一晶片上进行低温离子注入；
其中，所述步骤(a)包括在靠近工艺室的晶片传送室中进行预冷却步 骤，所述晶片传送室具有在所述晶片传送室内部的冷却台，共用冷却剂源 将冷却剂提供到所述晶片传送室的冷却台和在所述工艺室内保持和冷却所 述晶片的冷却板；以及温度控制器控制所述冷却台和所述冷却板的温度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在进行步骤(a)的同时，第二 晶片在所述工艺室中进行离子注入，
所述方法还包括：
在所述第二晶片经历离子注入之后从工艺冷却板上移除所述第二晶 片；以及
将所述第一晶片加载到所述工艺冷却板上，
其中步骤(b)的结束和步骤(c)的开始之间的时间间隔小于步骤(a) 的持续时间。
3.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(a)包括使用-162℃或更 低温度的冷却剂预冷却所述第一晶片。
4.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(a)包括使用-196℃或更 低的温度的冷却剂预冷却所述第一晶片。
5.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(a)包括使用选自液体氢、 液体氦、液体氮、液体氧、液体甲烷和液体一氧化二氮的冷却剂预冷却所 述晶片。
6.一种用于低温离子注入的装置，包括：
晶片传送室，其连接为从真空进样室接收半导体晶片，并配置为将第 一半导体晶片从第一温度预冷却到第二温度，其中所述第一温度至少为 15℃，所述第二温度大于等于-270℃，所述第二温度小于等于5℃；
工艺室，其配置为从所述晶片传送室接收所述预冷却的晶片，并在大 于等于-270℃并小于等于5℃的温度在所述晶片上进行离子注入步骤；
其中所述晶片传送室具有在所述晶片传送室内部的冷却台，
所述装置还包括：
共用冷却剂源，其将冷却剂提供到所述晶片传送室的冷却台和在所述 工艺室内保持和冷却所述晶片的冷却板；以及
温度控制器，其控制所述冷却台和所述冷却板的温度。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述工艺室具有工艺冷却板，所 述装置能够在所述晶片被置于所述工艺冷却板上之后在第一时间周期内开 始所述离子注入步骤，所述第一时间周期短于第二时间周期，在所述第二 时间周期中所述工艺冷却板能够将半导体晶片从15℃或以上的温度冷却到 大于等于-270℃并小于等于5℃的温度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910162396.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
