[发明专利]金属微结构形成方法

权利要求书

1.一种金属微结构形成方法，应用于微结构组件制造过程，其特征在于，该金属微结构形成方法包含如下步骤：

准备一基板；

于该基板的表面上相继形成二层以上的金属微结构；

以液体来去除该二层以上的金属微结构以外的其它材料，该液体不会蚀刻该二层以上的金属微结构；以及

于该基板上得到金属微结构。

2.如权利要求1所述的金属微结构形成方法，其特征在于，该准备一基板的步骤包含以下步骤：

选取一基板；以及

于该基板上沉积种子层，该种子层具导电性、并具与该基板间的附着性，可选取自Cr under Au、Ti under Au、Ti under Cu、Ti-W underAu。

3.如权利要求1所述的金属微结构形成方法，其特征在于，该于该基板的表面上相继形成二层以上的金属微结构的步骤包含以下步骤：

批覆光阻及/或硬质蜡及/或高分子聚合物；

对所批覆的该光阻进行烘烤，该光阻经烘烤后，将其中溶剂蒸发使该光阻变硬，之后进行曝光、显影，以成形所需的微结构图案；

在该微结构图案凹洞内电镀所需的金属结构；

进行研磨加工，研磨加工将使得该光阻与电镀金属厚度一致；

以及

选取、并利用以上步骤，于该基板的表面上形成二层以上的金属微结构。

4.如权利要求3所述的金属微结构形成方法，其特征在于，于该在该微结构图案凹洞内电镀所需的金属结构之前，在该微结构图案凹洞内先沉积一种子层，该种子层具导电性、并具与该光阻及电镀所需的该金属结构间的附着性，可选取自Cr under Au、Ti under Au、Ti under Cu、Ti-W under Au等。

5.如权利要求1所述的金属微结构形成方法，其特征在于，该液体为溶剂，用以去除光阻及/或硬质蜡及/或高分子聚合物，该溶剂不会蚀刻该二层以上的金属微结构。

6.如权利要求2所述的金属微结构形成方法，其特征在于，该液体包含溶剂、以及蚀刻液，该溶剂用以去除光阻及/或硬质蜡及/或高分子聚合物，该溶剂不会蚀刻该二层以上的金属微结构，且，以该蚀刻液移除该种子层。

7.如权利要求1或2所述的金属微结构形成方法，其特征在于，，该基板是选取自硅基板、玻璃基板、或陶瓷基板。

8.如权利要求2所述的金属微结构形成方法，其特征在于，该沉积的技术选取自蒸镀、溅镀、或无电镀技术。

9.如权利要求3所述的金属微结构形成方法，其特征在于，该批覆光阻的技术选取自spin coating、spray coating、lamination、或casting。

10.如权利要求3所述的金属微结构形成方法，其特征在于，该批覆光阻为正型。

11.如权利要求3所述的金属微结构形成方法，其特征在于，该批覆光阻为负型。

12.如权利要求3所述的金属微结构形成方法，其特征在于，该烘烤的方式选取自加热板直接加热、烘箱、或红外线加热，该曝光的方式选取自X-ray lithography、UV lithography、或direct write e-beam。

13.如权利要求3所述的金属微结构形成方法，其特征在于，该研磨加工的方式选取自机化学加工、机械研磨、或抛光。

14.如权利要求1或2或3所述的金属微结构形成方法，其特征在于，该二层以上的金属微结构选取自Au、Cu、Ni、Ni-Mn alloy、Ni-Fe alloy、Ni-Co alloy、或Sn-Pb。

15.一种金属微结构形成方法，为应用于微结构组件制造过程，其特征在于，该金属微结构形成方法包含以下步骤：

准备一基板；

于该基板的表面上相继形成二层以上的金属微结构；

以反应性离子蚀刻去除该二层以上的金属微结构以外的其它材料，且不会蚀刻该二层以上的金属微结构；以及

于该基板上得到金属微结构。