[发明专利]混频器

权利要求书

1.一种混频器，该混频器包括：

四线切换器，耦接至输出节点，该四线切换器用以根据输出信号产生平移电流；以及

转移电导级，用以通过输入节点接收输入信号，以及通过该输出节点输出该输出信号，其中，该转移电导级包括：

第一晶体管，耦接该输出节点和第一电源节点之间，该第一晶体管具有耦接至该输入节点的第一栅极，且该第一晶体管工作在饱和区；

第二晶体管，耦接该第一电源节点，该第二晶体管具有耦接至该输入节点的第二栅极，且该第二晶体管工作在次临界区；

第一偏压电路，用以提供第一偏压；以及

第三晶体管，耦接该输出节点和该第二晶体管之间，该第三晶体管具有耦接至该第一偏压的第三栅极。

2.如权利要求1所述的混频器，其特征在于，该转移电导级进一步包括：

第四晶体管，耦接该输出节点和第二电源节点之间，该第四晶体管具有耦接至该输入节点的第四栅极，且该第四晶体管工作在该饱和区；

第五晶体管，耦接该第二电源节点，该第五晶体管具有耦接至该输入节点的第五栅极，且该第五晶体管工作在该次临界区；

第二偏压电路，用以提供第二偏压；以及

第六晶体管，耦接该输出节点和该第五晶体管之间，该第六晶体管具有耦接至该第二偏压的第六栅极。

3.如权利要求2所述的混频器，其特征在于，该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管、该第五晶体管和该第六晶体管为MOS晶体管。

4.如权利要求1所述的混频器，其特征在于，该第一晶体管、该第二晶体管和该第三晶体管为NMOS晶体管，且该第一电源节点为接地节点。

5.如权利要求2所述的混频器，其特征在于，该第四晶体管、该第五晶体管和该第六晶体管为PMOS晶体管，且该第二电源节点为第一正电压节点。

6.如权利要求1所述的混频器，其特征在于，该混频器进一步包括电容器，该电容器耦接在该输出节点和该四线切换器之间。

7.如权利要求2所述的混频器，其特征在于，该混频器进一步包括反馈电阻器，该反馈电阻器耦接在该输出节点和该输入节点之间。

8.如权利要求1所述的混频器，其特征在于，该第一偏压电路包括：

第一电流源，耦接第二正电压节点；

第一电阻器，耦接接地节点；以及

第七晶体管，耦接在该第一电流源和该第一电阻器之间，且该第七晶体管具有第七栅极，该第七栅极耦接该第七晶体管的第七源极，

其中该第一电流源和该第七晶体管之间的第一连接点输出该第一偏压。

9.如权利要求2所述的混频器，其特征在于，该第二偏压电路包括：

第八晶体管，耦接该第二正电压节点，且该第八晶体管具有第八栅极，该第八栅极耦接该第八晶体管的第八漏极；

第二电流源，耦接接地节点；

第二电阻器，耦接在该第八晶体管和该第二电流源之间，

其中该第二电流源和该第二电阻器之间的第二连接点输出该第二偏压。