[发明专利]一种石墨单晶片的制备装置和制备方法无效

专利信息
申请号: 200910163359.X 申请日: 2009-08-09
公开(公告)号: CN101818376A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 杜文娟 申请(专利权)人: 杜文娟
主分类号: C30B29/02 分类号: C30B29/02;C30B29/64;C01B31/04;B07B4/00;B07B7/01
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310006 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 石墨 晶片 制备 装置 方法
【说明书】:

所属技术领域

发明是关于一种石墨单晶片的制备装置和制备方法,属于微/纳米材料制备领域。

背景技术

近年来,微/纳米材料的用途十分广泛,其中石墨单晶片的制备具有十分重要的意义。目前已有人用粘胶带去粘块状石墨的方法,从块状石墨上粘下石墨单晶片。但工效相当低,难以形成产业化生产。其次,石墨单晶片上会粘有一些粘胶带的物质,影响了石墨单晶片的纯度。

发明内容

为了克服现有技术的不足,本发明的目的是提供一种石墨单晶片的高效制备装置和制备方法。

本发明制备装置是这样实现的:主要由电阻加热炉、空气管、风扇和钳锅组成;风扇置于电阻加热炉口,空气管和钳锅置于电阻加热炉内;空气管的一端连接于电阻加热炉外的气源。

本发明制备方法是这样实现的:在电阻加热炉中将石墨加热到1000℃以上,保温40分钟;待石墨分子间的范德华力完全消失后,然后打开钳锅盖和电阻加热炉盖,同时用热空气喷击石墨;飘扬起来的石墨单晶片和尚未成为单晶片的石墨晶片,随热空气上升,逸出电阻加热炉口后,被设置在电阻加热炉口的风扇吹向远处;由于物质的自重因素,石墨单晶片将被吹得最远,在石墨晶片下落的最远处,可以收集到石墨单晶片。

本发明的有益效果是:生产石墨单晶片的工效高,产品质地纯净。

附图说明

下面结合图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明制备装置的示意图。

图2是本发明加热结束后的状态。

图3是本发明制备装置的立体示意图。

图4是图3的局部放大视图A。

图5是本发明钳锅的立体示意图。

图6是图5的局部放大视图B。

具体实施方式:

本发明制备装置见图1:主要由电阻加热炉11、空气管13、风扇7和钳锅10组成;风扇置于电阻加热炉口16,空气管13和钳锅10置于电阻加热炉11内。空气管13由外管131和盘管132构成;外管的一端1311置于电阻加热炉内,设有外螺纹,另一端1312连接于电阻加热炉外的气源;盘管132绕钳锅10盘旋若干圈,其一端1321置于钳锅10内;另一端1322含有内螺纹,其与外管的一端1311螺纹连接。盘管132与外管131使用螺纹连接的目的在于两者可以分开(外管131可以转动),钳锅10可以连同盘管132一起拉出于炉门111外。

(见图5)钳锅10设有钳锅盖101和手柄102,钳锅盖101和手柄102固定连接,钳锅盖101与钳锅10通过铰链103连接;转动手柄102,锅盖101绕铰链103摆动,开合于钳锅10。

(见图3、图4)电阻加热炉11设有电阻加热炉盖113、炉门111和炉门口112;炉门口和炉门各设有一个半圆孔1111和1121,关上炉门,所述的两个半圆孔合在一起,形成一圆孔114。该圆孔114正好容纳手柄102。这样,操作人可以在电阻加热炉外操作手柄,打开或合上钳锅盖101。

本发明制备方法:先按图1所示,将装有石墨5的钳锅10放入电阻加热炉11中,然后升温到1000℃以上,保温40分钟。石墨晶体中层与层之间属于分子晶体,是以范德华力结合起来的。当温度达到1000C以上,石墨晶体中层与层之间的范德华力就会消失。此后,打开钳锅盖101和电阻加热炉盖113(见图2),与此同时,对准石墨,喷入空气14(喷入的空气由于经过盘绕的空气管13,得到加温,故喷在石墨上不致于使石墨快速降温至1000℃以下。另一种方法是:喷入的空气本身已经在电阻炉外经过其它方法加热过的,这样效果更好一些)。已失去范德华力的石墨,受加热的空气14冲击后,形成的一些单晶片和一些尚未成为单晶片的石墨粉状物。这些石墨粉状物随着热空气的上升,经过电阻加热炉的导流道6,逸出电阻加热炉口16。这时被位于电阻加热炉口的风扇7吹向剪头所示方向。由于物质的自重因素,石墨单晶片将被吹得最远,从而在石墨晶片下落的最远处,可以收集到石墨单晶片。

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