[发明专利]发光二极管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包括：

一半导体基板，其具有位于一第一侧的一含碳层，其中该含碳层的碳原 子与该半导体基板的硅原子键结；

一发光二极管结构，形成于该半导体基板的该第一侧上，其中该发光二 极管结构包括一缓冲/成核层、一第一接触层、一第一包覆层、一有源层、一 第二包覆层和一第二接触层，该第一接触层和该第二接触层提供电性接触； 以及

一过渡层，介于该含碳层和该发光二极管结构之间，其中该过渡层包括 铝、钛、银、钛-铝或其组合。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该含碳层的厚度小于20 μm。

3.如权利要求2所述的发光二极管装置，其中该半导体基板为一块状硅 基板，其具有(111)方向的一表面配向。

4.一种发光二极管装置的制造方法，包括下列步骤：

提供一基板；

于该基板的一第一侧形成一含碳层；

进行一退火工艺以活化该含碳层的碳原子，使该碳原子与该基板的硅原 子键结；

于该基板的该第一侧上方形成一发光二极管结构，其中该发光二极管结 构包括一缓冲/成核层、一第一接触层、一第一包覆层、一有源层、一第二包 覆层和一第二接触层，该第一接触层和该第二接触层提供电性接触；以及

于形成该发光二极管结构之前还包括于该含碳层上形成一过渡层，其中 该过渡层包括铝、钛、银、钛-铝或其组合。

5.如权利要求4所述的发光二极管装置的制造方法，其中形成该含碳层 的步骤包括将该碳原子注入该基板内。

6.如权利要求4所述的发光二极管装置的制造方法，其中形成该含碳层 的步骤包括将该碳原子扩散进入该基板内。

7.如权利要求4所述的发光二极管装置的制造方法，其中形成该含碳层 的步骤至少一部分以外延工艺进行。

8.如权利要求4所述的发光二极管装置的制造方法，其中形成该含碳层 的步骤包括形成厚度小于20μm的一含碳层。

9.如权利要求4所述的发光二极管装置的制造方法，其中该基板具有 (111)方向的一表面配向。