[发明专利]供各向同性铜蚀刻的蚀刻调配物

权利要求书

1.一种湿法蚀刻调配物，其包含水溶液，所述溶液包含：

(a)二齿、三齿或四齿络合剂，其选自由二胺、三胺和四胺组成的群组；和

(b)氧化剂，其中

所述蚀刻溶液的pH值介于约7与10.5之间，并且其中所述蚀刻调配物能够各向同性蚀刻铜，以致所蚀刻铜表面的反射率每1,000埃所蚀刻铜降低不超过15％。

2.根据权利要求1所述的湿法蚀刻调配物，其中所述调配物能够以至少约1,000埃/分钟的蚀刻速率蚀刻铜。

3.根据权利要求1所述的湿法蚀刻调配物，其中所述调配物能够从衬底去除至少约1,000埃的铜，而不增加所蚀刻铜区域的表面粗糙度。

4.根据权利要求1所述的湿法蚀刻调配物，其中所述氧化剂包含过氧化氢(H₂O₂)。

5.根据权利要求1所述的湿法蚀刻调配物，其中所述络合剂包含二胺。

6.根据权利要求5所述的湿法蚀刻调配物，其中所述二胺为乙二胺(H₂NCH₂CH₂NH₂)和N-甲基乙二胺(H₃CNHCH₂CH₂NH₂)中至少一种。

7.根据权利要求1所述的湿法蚀刻调配物，其中所述络合剂包含三胺。

8.根据权利要求7所述的湿法蚀刻调配物，其中所述三胺为二乙烯三胺(H₂NCH₂CH₂NHCH₂CH₂NH₂)。

9.根据权利要求1所述的湿法蚀刻调配物，其中所述络合剂包含四胺。

10.根据权利要求9所述的湿法蚀刻调配物，其中所述四胺为三(2-氨基乙基)胺(N(CH₂CH₂NH₂)₃)。

11.根据权利要求1所述的湿法蚀刻调配物，其中所述水溶液包含乙二胺和过氧化氢。

12.根据权利要求1所述的湿法蚀刻调配物，其中所述调配物包含pH值调节剂。

13.根据权利要求12所述的湿法蚀刻调配物，其中所述pH值调节剂包含硫酸。

14.一种蚀刻含铜区的部分制成的半导体衬底的含铜部分的方法，所述方法包含：

(a)接收所述包含铜暴露区的部分制成的半导体衬底，和

(b)通过使所述衬底与pH值在介于约5与12之间的范围内的湿法蚀刻溶液接触，蚀刻所述衬底上的铜，其中所述溶液包含：(i)二齿、三齿或四齿络合剂，其选自由二胺、三胺和四胺组成的群组；和(ii)氧化剂，并且其中使所述衬底接触选自由以下组成的群组：将所述蚀刻溶液喷于所述旋转的衬底上；接触旋涂；和使所述衬底与所述蚀刻溶液在薄膜反应器中接触。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述湿法蚀刻溶液另外包含pH值调节剂。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述络合剂包含二胺。

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述二胺选自由乙二胺或N-甲基乙二胺组成的群组。

18.根据权利要求14所述的方法，其中所述湿法蚀刻溶液包含乙二胺和过氧化氢。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述湿法蚀刻溶液进一步包含pH值调节剂。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述湿法蚀刻溶液具有介于约6与10之间的pH值。

21.根据权利要求14所述的方法，其中所述络合剂选自由三胺和四胺组成的群组。

22.根据权利要求14所述的方法，其中所述蚀刻铜区域包含铜覆盖层。

23.根据权利要求14所述的方法，其中至少约1,000埃/分钟的速率蚀刻所述铜。