[发明专利]显示装置无效
申请号: | 200910164079.0 | 申请日: | 2009-08-10 |
公开(公告)号: | CN101650917A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 中村和夫;浅井伸利;内野胜秀 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32;H01L27/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
相关申请的交叉参考
本发明包含于2008年8月11日向日本专利局提交的日本优先 专利申请JP 2008-206621的主题,其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及显示装置,具体地,涉及可以提高显示质量的显示 装置。
背景技术
近年来,作为一种平板显示器(FPD),使用有机EL元件的有 机EL(电致发光)显示装置日益受到关注,并且有机EL显示装置 正在被积极开发。
在当前情况下,液晶显示器(LCD)是平板显示器的主流。然 而,因为液晶显示器不是使用自发光装置的装置,并且液晶显示器 需要诸如背光和偏光片的照明构件,所以液晶显示器具有装置厚度 增加和亮度不足的问题。与此相反,因为有机EL显示装置是使用 自发光装置的装置,所以有机EL显示装置比液晶显示器更有利的 是有机EL显示装置不需要背光,例如,基本上可以减小装置厚度, 并且可以获得高亮度。
具体地,在形成有用于分别切换像素的TFT电路的所谓有源矩 阵型有机EL显示装置中,每个像素可以保持用于发光的电荷,从 而可以抑制功耗。此外,因为有源矩阵有机EL显示装置相对较为 容易配备大屏幕并具有较高分辨率,所以有源矩阵型有机EL显示 装置得到了积极的开发,并且预期有源矩阵有机EL显示装置成为 下一代平板显示器的主流。
在有机EL显示装置中,在制造以矩阵形式排列多个像素的像 素阵列单元的过程中,要沉积阳极,形成像素分离膜以使像素彼此 个别分离,然后汽相沉积每个像素的有机膜,并在其上沉积阴极。 这时,像素阵列单元被形成使得有机膜具有多层结构。然而,通过 在阳极和有机膜之间设置的所谓空穴注入层,在阳极和阴极之间有 时会出现泄漏电流。
过去,根据有机膜的沉积顺序来改变泄漏路径(作为传送泄漏 电流的通道),并且泄漏路径的改变导致泄漏电流的流率差。由于 这个原因,通过每个有机膜传送的电流发生改变,这导致颜色偏移 以致使有机EL显示装置的显示质量劣化。
例如,JP-A-2000-195677(专利文献1)公开了一种有机EL显 示装置,其中,通过作为具有悬突(overhang)单元的三维结构的 像素分离结构,将像素分离成多个像素元件。
发明内容
如上所述,在以前的有机EL显示装置中,泄漏电流的流率差 有时使显示质量劣化。
因此,期望提高显示质量。
本发明的实施例涉及一种显示装置,包括:发光层,被配置为 根据电流来发光;第一像素分离膜,被配置为限定用于提供当发光 层发光时的发光区域的第一开口;以及第二像素分离膜,层压在第 一像素分离膜上,并且被配置为限定第二开口,第二开口被限制为 不会随着远离与第一像素分离膜接触的表面而逐渐变宽。
根据本发明实施例,第一像素分离膜限定用于提供当发光层根 据电流发光时的发光区域的第一开口,第二像素分离膜被层压在第 一像素分离膜上,并且第二像素分离膜限定第二开口,第二开口被 限制为不会随着远离与第一像素分离膜接触的表面而逐渐变宽。
根据本发明的实施例,可以提高显示质量。
附图说明
图1是示出本发明适用的有机EL显示装置的实施例的示例性 配置的框图;
图2是示出像素电路101的详细配置的框图;
图3A~图3C是传统像素电路201的多层结构的说明图;
图4A和图4B是泄漏电流的说明图;
图5A~图5C是示出像素电路的实施例的示例性配置的示图;
图6A~图6C是示出像素电路的另一个实施例的示例性配置的 示图;以及
图7是有机EL显示装置100的基板的示例性布局。
具体实施方式
下文,将参照附图详细描述本发明的实施例适用的具体实施 例。
图1是示出本发明适用的有机EL显示装置的实施例的示例性 配置的框图。
图1中示出的有机EL显示装置100由以矩阵排列N×M个像 素电路101-(1,1)~101-(N,M)的像素阵列单元102、水平选择器 (HSEL)103、写扫描器(WSCN)104以及电源扫描器(DSCN) 105构成,它们是用以驱动像素电路的驱动单元。
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