[发明专利]感测元件结构与制造方法有效

专利信息
申请号: 200910164441.4 申请日: 2009-08-03
公开(公告)号: CN101987719A 公开(公告)日: 2011-03-23
发明(设计)人: 陈荣泰;许郁文;陈士;林靖渊;潘力齐;何宗哲 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00;B81B3/00;B81C5/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 元件 结构 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种感测元件结构,该感测元件的构装包含:

一基板,具有一上表面;

一感测构件,位于该上表面的上方的一中央区域;

一立环构件,位于该上表面的上方并围绕在该感测构件的四周;以及

至少一外引导线,位于该上表面的上方,该立环构件与该感测构件之间由该至少一外引导线电性连接。

2.如权利要求1所述的感测元件结构,其中该立环构件的一上表面的上方还包括一层图案化的冶金层,作为密封与信号垫。

3.如权利要求2所述的感测元件结构,其中该立环构件至少包括一独立立环以及至少一个分离凸柱,每一分离凸柱中有一导孔,该导孔的一端与该感测构件的该外引导线电性连接。

4.如权利要求2所述的感测元件结构,其中该立环构件至少包括一独立立环以及至少一个分离凸柱,每一分离凸柱的一端与该感测构件的该外引导线电性连接。

5.如权利要求2所述的感测元件的结构,其中该立环构件中包括至少一导孔,该至少一导孔的一端与该感测构件的该外引导线电性连接,并且该至少一导孔与该立环构件之间有一电性隔离层。

6.如权利要求1所述的感测元件结构,该感测元件结构与一盖板之间经由导电材质整合为一封装元件。

7.如权利要求6所述的感测元件结构,其中该盖板包括有集成电路元件。

8.如权利要求3所述的感测元件结构,其中该立环构件的一外部表面上还包括一密封垫与至少一信号垫。

9.如权利要求8所述的感测元件结构,其中该至少一信号垫分布于该至少一导孔的另一端的上方。

10.如权利要求4所述的感测元件结构,其中该独立立环的一外部表面上还包括一密封垫,并且每一分离凸柱的一上表面的上方还包括一信号垫,该信号垫位于该导孔的另一端的上方。

11.如权利要求5所述的感测元件结构,其中该独立立环的一上表面的上方还包括一密封垫,并且每一分离凸柱的一上表面的上方还包括一信号垫。

12.如权利要求6所述的感测元件结构,其中该导电材质至少包括一密封垫,以及至少一信号垫。

13.一种感测元件的制造方法,该制造方法包含:

制作一质量晶片构件,使该质量晶片构件具有一图案化的上表面,并且该上表面上方备有多个第一触接金属;

制作一基板晶片构件,使该基板晶片构件的一上表面上方具有多个第二触接金属;

翻转该质量晶片构件后,钳紧并阳极接合该基板晶片构件,以组装成一元件晶片;以及

该元件晶片进行一种氧化层移除过程,且于该质量晶片构件的一中央区域形成一感测构件于该基板晶片构件的该上表面上方,并保留该质量晶片构件的一外环区域,以形成一立环构件于该感测构件的四周。

14.如权利要求13所述的感测元件的制造方法,其中,该元件晶片进行该氧化层移除过程后,经由一曝光显影的蚀刻工艺中,来形成该感测构件与该立环构件的几何形状。

15.如权利要求13所述的感测元件的制造方法,其中,该立环构件与该感测构件之间由该多个第二触接金属电性连接。

16.如权利要求14所述的感测元件的制造方法,该制造方法还包括执行执行一金属凸块工艺,该金属凸块工艺将一金属导电层加载于该质量晶片构件的一上表面的上方,并于该立环构件的一上表面的上方图案与蚀刻出一密封垫以及至少一信号垫。

17.如权利要求16所述的感测元件的制造方法,该制造方法还包括在该密封垫以及该至少一信号垫形成之前,在该至少一信号垫的下方形成至少一导孔,以及填入导电材料于该至少一导孔。

18.如权利要求16所述的感测元件的制造方法,该制造方法还包括以一曝光显影的工艺以及一蚀刻方式,将该立环构件图案出一独立立环与至少一个分离凸柱。

19.如权利要求18所述的感测元件的制造方法,该制造方法还包括在在该至少一信号垫的下方形成至少一导孔,以及填入导电材料于该至少一导孔,并且导电材料填入于该至少一导孔之前,先加载一绝缘层材料层以电性隔离该导电材料。

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