[发明专利]信号处理装置、固体成像装置和像素信号生成方法有效

专利信息
申请号: 200910164455.6 申请日: 2009-08-05
公开(公告)号: CN101662572A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 松浦知宏 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H04N3/15 分类号: H04N3/15;H04N5/335;H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 信号 处理 装置 固体 成像 像素 生成 方法
【权利要求书】:

1.一种信号处理装置,通过双重相关取样处理生成与像素单元 内的光电二极管中存储的电荷对应的电压信号,其特征在于包括:

用来把上述存储的电荷变换成电压信号的浮置扩散FD;

栅端子与上述浮置扩散FD连接且源端子与输出信号线连接的放 大晶体管;以及

与上述输出信号线连接的负载电路,

在双重相关取样处理中,在重置上述浮置扩散FD时,通过在预 定期间向上述浮置扩散FD施加电源电压,把上述输出信号线的电压 设定成第一电压,然后把上述输出信号线的设定电压设定成比上述第 一电压高的第二电压,

在上述浮置扩散FD的重置处理中,通过控制上述负载电路,将 上述输出信号线的设定电压设定为上述第一电压,然后将上述输出信 号线的设定电压设定为上述第二电压。

2.如权利要求1所述的信号处理装置,其特征在于:

上述负载电路包括:以偏置电压作为对栅端子的输入、且漏端子 与上述输出信号线连接的负载晶体管;以及与上述负载晶体管串联连 接、且源端子与基准电位点连接的开关晶体管,

在上述浮置扩散FD的重置处理中,通过在使上述开关晶体管导 通的状态下把上述偏置电压设定成第一偏置电压,使上述负载晶体管 导通,从而把上述输出信号线的设定电压设定成上述第一电压;然后, 通过在使上述开关晶体管导通的状态下把上述偏置电压设定成比上述 第一偏置电压低且能维持上述负载晶体管的导通状态的第二偏置电 压,从而把上述输出信号线的设定电压设定成上述第二电压。

3.如权利要求1所述的信号处理装置,其特征在于:

上述负载电路包括:以偏置电压作为对栅端子的输入、且漏端子 与上述输出信号线连接的两个负载晶体管;以及与上述负载晶体管中 的某一个一对一地串联连接、以开关信号作为对栅端子的输入、且源 端子与基准电位点连接的两个开关晶体管,

在上述浮置扩散FD的重置处理中,通过使上述各负载晶体管和 上述各开关晶体管导通而把上述输出信号线的设定电压设定成上述第 一电压;然后,通过使上述开关晶体管中的某一个截止而把上述输出 信号线的设定电压设定成上述第二电压。

4.如权利要求1所述的信号处理装置,其特征在于:

上述负载电路包括:以偏置电压作为对栅端子的输入、漏端子与 上述输出信号线连接、且源端子与基准电位点连接的两个负载晶体管,

在上述浮置扩散FD的重置处理中,通过使上述各负载晶体管导 通而把上述输出信号线的设定电压设定成上述第一电压;然后,通过 使上述负载晶体管中的某一个截止而把上述输出信号线的设定电压设 定成上述第二电压。

5.如权利要求1所述的信号处理装置,其特征在于:

上述负载电路包括:以偏置电压作为对栅端子的输入、漏端子与 上述输出信号线连接、且源端子与基准电位点连接的负载晶体管,

在上述浮置扩散FD的重置处理中,通过把上述偏置电压设定成 第一偏置电压,使上述负载晶体管导通而把上述输出信号线的设定电 压设定成上述第一电压;然后,通过把上述偏置电压设定成比上述第 一偏置电压低且能维持上述负载晶体管的导通状态的第二偏置电压, 而把上述输出信号线的设定电压设定成上述第二电压。

6.一种固体成像装置,包括如权利要求1所述的信号处理装置, 其特征在于:

还包括:像素区和行选择电路,

上述像素区具有阵列状地配置的多个上述像素单元,

上述各像素单元除了上述光电二极管、上述浮置扩散FD和上述 放大晶体管之外,还包括:用来把上述光电二极管中存储的电荷读出 到上述浮置扩散FD的读出晶体管、以及用来重置上述浮置扩散FD 的电压的重置晶体管,

上述行选择电路控制多个上述像素单元的上述重置晶体管和上 述读出晶体管。

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